[发明专利]一种影像传感芯片的封装方法及封装结构有效
申请号: | 201810940894.0 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN109103208B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 王之奇 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力;王宝筠 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 影像 传感 芯片 封装 方法 结构 | ||
1.一种影像传感芯片的封装方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第一表面包括多个阵列排布的功能区和位于相邻功能区之间的切割道,所述功能区上形成有影像传感芯片,所述影像传感芯片包括感光区和包围所述感光区的非感光区,所述非感光区上设置有第一焊垫;
提供透光盖板,所述透光盖板一侧具有第一粘接膜层;
利用所述第一粘接膜层粘接所述透光盖板与所述衬底,所述第一粘接膜层在所述衬底上的正投影覆盖全部所述感光区和全部所述非感光区在所述衬底上的正投影;
对所述透光盖板进行处理,以仅暴露出位于所述非感光区中的第一焊垫;
沿所述切割道对所述衬底进行切割,以获得单颗影像传感芯片;
提供基板,将所述基板与所述影像传感芯片的衬底的第二表面贴合,所述基板上设置有第二焊垫;
对所述基板与所述影像传感芯片进行电连接,将所述第一焊垫与所述第二焊垫电性连接;
进行注塑工艺形成塑封层,所述塑封层包覆所述影像传感芯片并暴露所述透光 盖板的顶表面;
所述利用所述第一粘接膜层粘接所述透光盖板与所述衬底之前还包括:
形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层;
所述第二粘接膜层的折射率小于所述第一粘接膜层的折射率。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述基板与所述影像传感芯片进行电连接,将所述第一焊垫与所述第二焊垫电性连接包括:
对所述基板与所述影像传感芯片进行打线处理,以形成连接所述第一焊垫与所述第二焊垫的金属线。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述感光区上设置有多个微透镜;
所述形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层包括:
形成覆盖所述感光区,且与所述微透镜表面形貌一致的光学胶层。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层包括:
形成覆盖所述感光区的光学胶层,所述光学胶层具有平整平面。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成至少覆盖所述感光区的第二粘接膜层包括:
形成覆盖多个所述感光区以及所述非感光区的光学胶层,所述光学胶层具有平整平面。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二粘接膜层的折射率小于或等于1.4。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第二粘接膜层的折射率小于或等于1.2。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一粘接膜层的透光率大于或等于60%。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述第一粘接膜层的透光率大于或等于75%。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述对所述透光盖板进行处理,以仅暴露出位于所述非感光区中的第一焊垫包括:
对所述透光盖板进行半切处理,以去除所述透光盖板位于所述非感光区中的部分,并暴露出位于所述非感光区中的第一粘接膜层;
去除位于所述非感光区中的第一粘接膜层,以仅暴露出所述第一焊垫。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述至少部分去除位于所述非感光区中的第一粘接膜层,以至少部分暴露出所述第一焊垫包括:
对位于所述非感光区的第一粘接膜层进行等离子体处理或激光刻蚀处理,以至少部分暴露出所述第一焊垫。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述进行注塑工艺形成塑封层之后还包括:
在所述基板背离所述影像传感芯片一侧形成与所述第二焊垫电连接的球栅阵列封装结构或栅格阵列封装结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶方半导体科技股份有限公司,未经苏州晶方半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810940894.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:单曝光高动态范围传感器
- 下一篇:一种图像传感器及其制备方法、电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的