[发明专利]一种复合型强化焊料及其制备方法有效
| 申请号: | 201810940695.X | 申请日: | 2018-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN108971803B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
| 发明(设计)人: | 李志豪;曾世堂;林焯鹏;蔡航伟;杜昆 | 申请(专利权)人: | 广州汉源新材料股份有限公司 |
| 主分类号: | B23K35/40 | 分类号: | B23K35/40 |
| 代理公司: | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人: | 刘新年 |
| 地址: | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 复合型 强化 焊料 及其 制备 方法 | ||
本发明属于复合焊料领域,具体涉及一种复合型强化焊料及其制备方法。本发明所述复合型强化焊料由SiC增强颗粒和余量的基体合金组成;所述SiC增强颗粒为镀银改性的SiC颗粒;所述焊料中SiC颗粒的质量分数为基体合金质量的0.2‑1%。本发明焊料制备方法包括:镀银SiC颗粒制备;烘干、磨粉保存;取基体合金,进行熔炼;制备镀银SiC颗粒浆料;镀银SiC颗粒浆料与基体合金充分混合;浇铸、成型。本发明的复合焊料能明显提高焊点屈服强度,改进抗蠕变性能和抗疲劳性能,进而延长电子器件服役寿命,而且能够适合企业大批量生产。
技术领域
本发明属于复合焊料领域,具体涉及一种复合型强化焊料的制备方法。
背景技术
随着电子产品逐渐走向微型化,电子元器件的装配逐渐走向密集化,电子封装技术也面临着越来越大的挑战。在电子封装技术中,焊点的可靠性问题一直是电子产品设计和使用中的核心问题之一。焊点一方面可以作为电子信号传输通道,同时也在芯片和基板之间形成机械连接并且起到导热作用。而焊点在服役过程中伴随着热以及机械应力的循环作用,极易发生蠕变、疲劳等失效行为,进而影响电子产品的使用寿命。有人通过粉末冶金法将碳化硅(SiC)颗粒与焊料合金混合制备强化型焊料,但该工艺只适合少量制作,不能作为企业规模性的生产。也有人通过内生法来制备强化焊料,内生法生产的金属间化合物与基体合金的结合力虽强,但不够稳定,随着焊点服役时间的增加,金属间化合物会因为元素扩散而粗化,聚集成块,使强化效果快速下降,削弱焊点的可靠性和减短焊点的服役寿命。而通过外加法添加高模量的SiC陶瓷颗粒则不存在这个问题,焊接时焊料再次熔化、冷却后SiC颗粒依旧存在于晶粒和晶界,SiC颗粒可以细化晶粒、钉扎位错,使位错塞积,增加位错密度,起到提高基体合金屈服强度的作用,从而提高蠕变寿命。但普通外加法都是将SiC颗粒表面改性后直接加入基体合金,单纯用机械搅拌、超声波搅拌或者电磁搅拌方式进行混合,这样很难实现外加颗粒与基体合金的融合,因为熔融焊料和SiC颗粒表面都始终存在阻碍两者接触和融合的氧化膜,直接添加SiC颗粒会导致强化焊料的屈服强度、抗蠕变性能都不理想。
发明内容
鉴于此,有必要针对上述问题提供一种能明显提高焊点屈服强度,改进抗蠕变性能和抗疲劳性能,进而延长电子器件服役寿命,而且能够适合企业大批量生产的复合型强化焊料及其制备方法。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种复合型强化焊料,所述复合型强化焊料由镀银改性的SiC颗粒和余量的基体合金组成,所述焊料中SiC颗粒的质量分数为基体合金质量的0.2-1%(镀银改性的SiC颗粒用量需要根据SiC颗粒的质量分数和镀银的质量分数换算);所述焊料中SiC颗粒的质量分数优选值为0.5-1%。
进一步的,所述SiC颗粒的平均粒径为10-50nm。
进一步的,所述SiC颗粒镀银改性处理中,银的质量分数为55-90%(即镀银SiC颗粒的密度为7.2-9.7g/cm3);所述镀银SiC颗粒的密度通过调节镀银量来控制,且其与基体合金的密度越接近效果越好。
进一步的,本发明所述方法适用于所有基体合金,例如:Pb92.5Sn5Ag2.5、Sn96.5Ag3.0Cu0.5、Pb88Sn10Ag2等。
一种复合型强化焊料的制备方法,所述制备方法为外加法,具体步骤包括:
1)将纳米SiC颗粒进行表面镀银处理;镀银后SiC颗粒的密度与基体合金的密度接近;
2)将步骤1)处理后的镀银SiC颗粒烘干、磨粉(150目~200目)保存;
3)取基体合金,并进行熔炼;
4)称取步骤2)制得的镀银SiC颗粒、有机添加剂,在分析级乙醇溶液中进行充分搅拌,制备成浆料;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州汉源新材料股份有限公司,未经广州汉源新材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810940695.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





