[发明专利]一种发光二极管及制作方法

说明书

本发明提供了一种发光二极管及制作方法，通过在钝化层上形成多个通孔，电流从第一电极注入，经过通孔结构传至电流扩展层，以增加横向电流扩展。并且，通过形成电流扩展凹槽，且将电流扩展凹槽的侧壁设置为波浪形，以增大出光面，增加纵向电流扩展，进而提高发光二极管的出光效率。并且，该发光二极管的制作方法简单。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，更具体地说，涉及一种发光二极管及制作方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，各种各样的LED芯片已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点，被广泛应用在照明、显示和背光等领域。

但是，目前发光二极管的出光效率低且制作方法繁琐。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种发光二极管及制作方法，该发光二极管出光效率高，且制作方法简单。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种发光二极管，其特征在于，包括：

衬底；

设置在所述衬底表面的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；

设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的电流扩展层；

贯穿所述电流扩展层、所述第二半导体层和所述发光层的电极凹槽和电流扩展凹槽，所述电流扩展凹槽的侧壁为波浪形；所述电流扩展凹槽与所述电极凹槽相通，且在所述第一方向上，所述电极凹槽的深度与所述电流扩展凹槽的深度相同；

设置在所述电流扩展层背离所述外延层结构一侧以及所述电极凹槽内以及所述电流扩展凹槽内的钝化层，所述钝化层上设置有多个阵列排布的通孔；

设置在所述钝化层背离所述电流扩展层一侧的第一电极，所述第一电极覆盖所述通孔；

设置在所述电极凹槽内的第二电极，所述第二电极覆盖所述通孔。

可选的，所述外延层结构还包括：设置在所述衬底和所述第一半导体层之间的缓冲层。

可选的，所述第一半导体层为N型半导体层。

可选的，所述第二半导体层为P型半导体层。

可选的，所述第一电极为金属电极，所述第二电极为金属电极。

可选的，所述第一电极的材料和所述第二电极的材料相同。

本发明还提供了一种发光二极管的制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底表面形成外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；

在所述外延层背离所述衬底的一侧形成透明导电层；

对所述透明导电层进行图案化处理，以形成电流扩展层；

刻蚀所述电流扩展层、所述第二半导体层和所述发光层，以暴露出所述第一半导体层，形成电极凹槽和电流扩展凹槽，所述电流扩展凹槽的侧壁为波浪形；所述电流扩展凹槽与所述电极凹槽相通，且在所述第一方向上，所述电极凹槽的深度与所述电流扩展凹槽的深度相同；