[发明专利]一种发光二极管及制作方法有效
| 申请号: | 201810939754.1 | 申请日: | 2018-08-17 |
| 公开(公告)号: | CN108807629B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
| 发明(设计)人: | 刘英策;刘昭;李俊贤;魏振东;邬新根 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14 |
| 代理公司: | 厦门市天富勤知识产权代理事务所(普通合伙) 35244 | 代理人: | 唐绍烈 |
| 地址: | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 发光二极管 制作方法 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:
衬底;
设置在所述衬底表面的外延层结构;所述外延层结构包括:在第一方向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述第一方向垂直于所述衬底,且由所述衬底指向所述外延层结构;
设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的电流扩展层;
贯穿所述电流扩展层、所述第二半导体层和所述发光层的电极凹槽和电流扩展凹槽,所述电流扩展凹槽的侧壁为波浪形;所述电流扩展凹槽与所述电极凹槽相通,且在所述第一方向上,所述电极凹槽的深度与所述电流扩展凹槽的深度相同;
设置在所述电流扩展层背离所述外延层结构一侧以及所述电极凹槽内以及所述电流扩展凹槽内的钝化层,所述钝化层上设置有多个阵列排布的通孔;
设置在所述钝化层背离所述电流扩展层一侧的第一电极,所述第一电极覆盖所述通孔;
设置在所述电极凹槽内的第二电极,所述第二电极覆盖所述通孔。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述外延层结构还包括:设置在所述衬底和所述第一半导体层之间的缓冲层。
3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第一半导体层为N型半导体层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第二半导体层为P型半导体层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第一电极为金属电极,所述第二电极为金属电极。
6.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第一电极的材料和所述第二电极的材料相同。
7.一种发光二极管的制作方法,其特征在于,包括:
提供一衬底;
在所述衬底表面形成外延层结构;所述外延层结构包括:在第一方向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述第一方向垂直于所述衬底,且由所述衬底指向所述外延层结构;
在所述外延层背离所述衬底的一侧形成透明导电层;
对所述透明导电层进行图案化处理,以形成电流扩展层;
刻蚀所述电流扩展层、所述第二半导体层和所述发光层,以暴露出所述第一半导体层,形成电极凹槽和电流扩展凹槽,所述电流扩展凹槽的侧壁为波浪形;所述电流扩展凹槽与所述电极凹槽相通,且在所述第一方向上,所述电极凹槽的深度与所述电流扩展凹槽的深度相同;
在所述电流扩展层背离所述外延层结构一侧以及所述电极凹槽内以及所述电流扩展凹槽内形成钝化层,所述钝化层上设置有多个阵列排布的通孔;
在所述钝化层背离所述电流扩展层的一侧形成第一电极,所述第一电极覆盖所述通孔;
在所述电极凹槽内形成第二电极,所述第二电极覆盖所述通孔。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
在所述衬底和所述第一半导体层之间形成缓冲层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司,未经厦门乾照光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810939754.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





