[发明专利]低辐射镀膜玻璃及其制备方法在审
| 申请号： | 201810938323.3 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN108726891A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黄亮;万军鹏;谭军毅;林彬 | 申请（专利权）人： | 北京汉能光伏投资有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 北京智晨知识产权代理有限公司 11584 | 代理人： | 张婧 |
| 地址： | 101400 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低辐射镀膜玻璃 玻璃基 膜系 膜堆 制备 太阳能技术领域 可见光透过率 膜层稳定性 光波产生 光伏组件 最外层膜 低辐射 建筑门 波段 幕墙 应用 | ||
1.一种低辐射镀膜玻璃，其特征在于，包括玻璃基底以及位于所述玻璃基底至少一个表面的膜堆，所述膜堆包括n组层叠的膜系、和位于所述n组膜系的最外层膜上的Si3N4膜；所述每组膜系从靠近所述玻璃基底向远离所述玻璃基底的方向依次包括：SiO2层，SiONx层，Si3N4层，SiONx层，SiO2层，和SiONx层。
2.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，n为11～43。
3.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述n组膜系中，每层SiO2的厚度为每层SiONx的厚度为每层Si3N4的厚度为位于所述n组膜系的最外层膜上的Si3N4膜的厚度为
4.根据权利要求3所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，所述膜堆的总厚度为15～21μm。
5.一种低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，包括：
(1)在玻璃基底的至少一个表面，依次叠层镀制SiO2膜、SiONx膜、Si3N4膜、SiONx膜、SiO2膜和SiONx膜；
(2)重复步骤(1)n次，在所述玻璃基底的至少一个表面镀制得到n组层叠的膜系，每组所述膜系从靠近所述玻璃基底向远离所述玻璃基底的方向依次包括：SiO2层，SiONx层，Si3N4层，SiONx层，SiO2层，SiONx层；
(3)在所述n组膜系的最外层膜表面，镀制Si3N4膜。
6.根据权利要求5所述的低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，采用真空磁控溅射法镀制所述SiO2膜、SiONx膜和Si3N4膜。
7.根据权利要求6所述的低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征在于，
所述SiO2膜的镀制包括，在真空度3.0×10-1～4.5×10-1Pa、温度250～340℃条件下，向真空磁控连续镀膜机内通入O2和Ar，O2流量为100～130Sccm、Ar流量为200～220Sccm；Si靶的Si溅射功率为8000～15000W；
所述SiONx膜的镀制包括，在真空度3.0×10-1～4.5×10-1Pa、温度300～420℃条件下，向真空磁控连续镀膜机内通入O2、Ar和N2，O2流量为100～130Sccm、Ar流量为200～220Sccm、N2流量为90～180Sccm；Si靶的Si溅射功率为8000W～15000W；
所述Si3N4膜的镀制包括，在真空度3.0×10-1～4.5×10-1Pa、温度300～420℃条件下，向真空磁控连续镀膜机内通入N2和Ar，N2流量为100～150Sccm、Ar流量为200～220Sccm；Si靶的Si溅射功率为8000W～15000W。
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