[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种控制磁阻式随机存取存储器的方法，包括：

在时钟信号的上升沿和下降沿通过命令/地址引脚接收与激活状态相关联的多个第一信号；

在接收所述多个第一信号之后，在所述时钟信号的上升沿和下降沿通过所述命令/地址引脚接收与用于读取操作的列地址和行地址相关联的多个第二信号；

响应于所述多个第二信号，根据用于所述读取操作的所述行地址，从至少一个存储单元读取数据；

在从所述至少一个存储单元读取数据期间，在所述时钟信号的上升沿和下降沿通过所述命令/地址引脚接收与用于写入操作的列地址和行地址相关联的多个第三信号；

在从接收所述多个第二信号起经过预定的读取潜伏期之后，根据用于所述读取操作的所述列地址，将从所述至少一个存储单元读取的所述数据输出到数据输入/输出引脚；

在从接收所述多个第三信号起经过预定的写入潜伏期之后，根据用于所述写入操作的所述列地址，响应于所述多个第三信号，通过所述数据输入/输出引脚输入数据；以及

根据用于所述写入操作的所述行地址，将从所述数据输入/输出引脚输入的所述数据写入至少一个存储单元。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在将从所述数据输入/输出引脚输入的所述数据写入所述至少一个存储单元之前，响应于所述多个第三信号，从待写入的所述至少一个存储单元读取数据。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，与使用所述行地址的定时相比，使用所述列地址的定时被延迟预定时段。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，串联的移位寄存器被用于生成所述延迟。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述读取潜伏期的时段与所述写入潜伏期的时段彼此不同。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述读取潜伏期的时段比所述写入潜伏期的时段长。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在将从所述至少一个存储单元读取的所述数据输出到所述数据输入/输出引脚与通过所述数据输入/输出引脚接收所述数据之间存在时滞。

8.一种控制磁阻式随机存取存储器的方法，包括：

在时钟信号的上升沿和下降沿通过命令/地址引脚接收与激活状态相关联的多个第一信号；

在接收所述多个第一信号之后，在所述时钟信号的上升沿和下降沿通过所述命令/地址引脚接收与用于写入操作的列地址和行地址相关联的多个第二信号；

在接收所述多个第二信号之后，在所述时钟信号的上升沿和下降沿通过所述命令/地址引脚接收与用于读取操作的列地址和行地址相关联的多个第三信号；

响应于所述多个第三信号，根据用于所述读取操作的所述行地址，从至少一个存储单元读取数据；

在从接收所述多个第二信号起经过预定的写入潜伏期之后，根据用于所述写入操作的所述列地址，响应于所述多个第二信号，通过所述数据输入/输出引脚输入数据；

在从接收所述多个第三信号起经过预定的读取潜伏期之后，根据用于所述读取操作的所述列地址，将从所述至少一个存储单元读取的所述数据输出到数据输入/输出引脚；以及

根据用于所述写入操作的所述行地址，将从所述数据输入/输出引脚输入的所述数据写入至少一个存储单元。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在将从所述数据输入/输出引脚输入的所述数据写入所述至少一个存储单元之前，响应于所述多个第二信号，从待写入的所述至少一个存储单元读取数据。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，与使用所述行地址的定时相比，使用所述列地址的定时被延迟预定时段。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，串联的移位寄存器被用于生成所述延迟。