[发明专利]LDMOS器件及其形成方法

说明书

本发明提供了一种LDMOS器件及其形成方法，在衬底上形成跨接所述体区及所述漂移区的栅极结构，然后再在所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁及所述栅极结构与所述漏区之间的衬底上形成场极板，所述场极板的导电板及绝缘板可以构成电容器结构，所述LDMOS器件在工作时，不仅可以在源区和漏区施加电压，还可以通过在导电板上加电压以改变电容器的场强，从而更加灵活的改变所述源区至漏区通路上的场强，进而提高了器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种LDMOS器件及其形成方法。

背景技术

横向扩散金属氧化物半导体晶体管(Laterally Diffused Metal Oxidesemiconductor，LDMOS)主要应用于功率集成电路，例如面向移动电话基站的射频功率放大器，其也可以应用于高频、特高频与超高频广播传输器以及微波雷达与导航系统等。LDMOS器件具有诸多优点，例如其具有优秀的热稳定性和频率稳定性，并且LDMOS器件的反馈电容和热阻较低，输入阻抗恒定，偏流电路简单。

但是，现有的LDMOS器件的性能仍有待提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LDMOS器件及其形成方法，以提高现有的LDMOS器件的性能。

为了达到上述目的，本发明提供了一种LDMOS器件，所述LDMOS器件包括：

衬底，所述衬底中形成有漂移区及两个体区，所述漂移区位于两个所述体区之间，所述体区中形成有源区，所述漂移区中形成有漏区；

栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上并且跨接所述体区及所述漂移区；

场极板，所述场极板覆盖所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁，还覆盖所述栅极结构与所述漏区之间的衬底，所述场极板包括绝缘板及覆盖所述绝缘板的导电板。

可选的，所述LDMOS器件还包括第一介质层及位于所述第一介质层中的多个导电插塞，所述第一介质层覆盖所述衬底及所述栅极结构，所述导电插塞用于将所述源区、漏区及场极板接出。

可选的，所述体区中还形成有基区，所述基区在所述衬底的延伸方向与所述源区相连。

可选的，所述LDMOS器件还包括一导电接触层，所述导电接触层覆盖所述体区、所述漏区及所述栅极结构，所述导电接触层的材料与所述导电板的材料相同。

本发明还提供了一种LDMOS器件的形成方法，所述LDMOS器件的形成方法包括：

提供衬底，所述衬底中形成有漂移区及两个体区，所述漂移区位于两个所述体区之间，所述体区中形成有源区，所述漂移区中形成有漏区；

在所述衬底上形成跨接所述体区及所述漂移区的栅极结构；

在所述衬底上形成场极板，所述场极板覆盖所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁，还覆盖所述栅极结构与所述漏区之间的衬底，所述场极板包括绝缘板及覆盖所述绝缘板的导电板。

可选的，形成跨接所述体区及所述漂移区的栅极结构的步骤包括：

在所述衬底上形成栅电极材料层；

刻蚀所述栅电极材料层以形成栅电极，所述栅电极跨接所述体区及所述漂移区；

在所述栅电极的侧壁形成侧墙，所述栅电极及所述侧墙构成所述栅极结构。

可选的，形成所述场极板的步骤包括：

形成覆盖所述衬底及所述栅极结构的层叠体，所述层叠体包括绝缘板材料层及覆盖所述绝缘板材料层的多晶硅材料层；

刻蚀所述层叠体以形成图形化的层叠体，所述图形化的层叠体覆盖所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁，还覆盖所述栅极结构与所述漏区之间的衬底；