[发明专利]LDMOS器件及其形成方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括：

衬底，所述衬底中形成有漂移区及两个体区，所述漂移区位于两个所述体区之间，所述体区中形成有源区，所述漂移区中形成有漏区；

栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上并且跨接所述体区及所述漂移区；

场极板，所述场极板覆盖所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁，还覆盖所述栅极结构与所述漏区之间的衬底，所述场极板包括绝缘板及覆盖所述绝缘板的导电板，在所述源区和所述漏区上施加电压时，还在所述导电板上加电压，以改变所述源区至所述漏区通路上的场强。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括第一介质层及位于所述第一介质层中的多个导电插塞，所述第一介质层覆盖所述衬底及所述栅极结构，所述导电插塞用于将所述源区、漏区及场极板接出。

3.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述体区中还形成有基区，所述基区在所述衬底的延伸方向与所述源区相连。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括一导电接触层，所述导电接触层覆盖所述体区、所述漏区及所述栅极结构，所述导电接触层的材料与所述导电板的材料相同。

5.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述LDMOS器件的形成方法包括：

提供衬底，所述衬底中形成有漂移区及两个体区，所述漂移区位于两个所述体区之间，所述体区中形成有源区，所述漂移区中形成有漏区；

在所述衬底上形成跨接所述体区及所述漂移区的栅极结构；

在所述衬底上形成场极板，所述场极板覆盖所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁，还覆盖所述栅极结构与所述漏区之间的衬底，所述场极板包括绝缘板及覆盖所述绝缘板的导电板，在所述源区和所述漏区上施加电压时，还在所述导电板上加电压，以改变所述源区至所述漏区通路上的场强。

6.如权利要求5所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，形成跨接所述体区及所述漂移区的栅极结构的步骤包括：

在所述衬底上形成栅电极材料层；

刻蚀所述栅电极材料层以形成栅电极，所述栅电极跨接所述体区及所述漂移区；

在所述栅电极的侧壁形成侧墙，所述栅电极及所述侧墙构成所述栅极结构。

7.如权利要求5所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，形成所述场极板的步骤包括：

形成覆盖所述衬底及所述栅极结构的层叠体，所述层叠体包括绝缘板材料层及覆盖所述绝缘板材料层的多晶硅材料层；

刻蚀所述层叠体以形成图形化的层叠体，所述图形化的层叠体覆盖所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁，还覆盖所述栅极结构与所述漏区之间的衬底；

在所述图形化的层叠体上形成金属层；

对所述金属层进行退火处理，使所述多晶硅材料层与所述金属层反应以形成导电板材料层；

去除所述导电板材料层上剩余的金属层，所述导电板材料层构成所述导电板，所述绝缘板材料层构成所述绝缘板。

8.如权利要求7所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，在所述图形化的层叠体上形成所述金属层的同时，还在所述体区、漏区及栅极结构上形成所述金属层，通过退火处理后，所述体区、漏区及栅极结构上形成导电接触层，所述导电接触层的材料与所述导电板的材料相同。

9.如权利要求7或8所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括钛、钴或者钼中的一种或多种。

10.如权利要求5所述的LDMOS器件的形成方法，其特征在于，形成所述场极板之后，所述LDMOS器件的形成方法还包括：

在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述衬底、场极板及所述栅极结构；

在所述第一介质层中形成多个导电插塞，以将所述源区、漏区及场极板接出。