[发明专利]发光装置有效

专利信息
申请号: 201810926935.0 申请日: 2018-08-14
公开(公告)号: CN109404746B 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 三浦创一郎 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: F21K9/20 分类号: F21K9/20;F21K9/68;F21Y115/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置
【说明书】:

本发明提供在抑制荧光部的转换效率的降低的同时减少颜色不均、发光不均的发光装置。一方案的发光装置具备:一个以上的半导体激光元件;光反射部,其设有对来自所述半导体激光元件的放射光进行反射的光反射面(a);荧光部,其具有供由所述光反射面反射的放射光照射的光照射面(a)。光反射面设为,使在光反射面中的供放射光照射的区域(a)中的至少一端反射的光与在所述一端以外的位置反射的光在所述光照射面中重叠。

技术领域

本发明涉及发光装置。

背景技术

专利文献1所记载的发光装置具备半导体激光元件、形成有全反射膜的反射构件以及配置于反射构件的上方的荧光部。来自半导体激光元件的放射光被设于反射构件的全反射镜向荧光部反射(例如参照专利文献1的图3)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2010-251686

在这样的发光装置中,就照射于荧光部的光照射面的放射光的光强度而言,中心部比其周围高。在该情况下,放射光的中心部照射的荧光部的发热量变大,从而可能导致荧光部的转换效率降低。另外,有可能发生从荧光部取出的光的发光强度不均、颜色不均。

发明内容

本发明的一方案的发光装置具备:一个以上的半导体激光元件;光反射部,其设有对来自所述半导体激光元件的放射光进行反射的光反射面(a);荧光部,其具有供由所述光反射面反射的放射光照射的光照射面(a)。在该发光装置中,所述光反射部的光反射面设为,使在光反射面中的供放射光照射的区域(a)中的至少一端反射的光与在所述一端以外的位置反射的光在所述光照射面重叠。

发明效果

根据各方案的发光装置,能够实现在减少荧光部的转换效率的降低的同时减少从荧光部取出的光的颜色不均、发光不均的发光装置。

附图说明

图1是第一实施方式的发光装置的立体图。

图2是第一实施方式的发光装置的俯视图。

图3是图2的III-III处的剖视图。

图4是第一实施方式的发光装置所包含的光学元件的立体图。

图5是用于对第一实施方式的发光装置中的、从半导体激光元件放射出的放射光由光反射面反射后直至照射于荧光部的光照射面为止的放射光的动作进行说明的图。

图6是对由以往的光反射面反射的放射光的光强度分布进行模拟并测定的图。

图7是表示将图6的VII-VII连结的直线处的光强度分布的图。

图8是用于对第一实施方式的发光装置中的基体的凹部的内部进行说明的立体图。

图9是用于对第一实施方式的发光装置中的基体的凹部的内部进行说明的俯视图。

图10是对第一实施方式的发光装置中的、荧光部的光照射面中的放射光的光强度分布进行模拟并测定的图。

图11是表示将图10的XI-XI连结的直线处的光强度分布的图。

图12是对第一实施方式的发光装置中的、荧光部的光照射面的由第一区域反射的放射光的光强度分布进行模拟并测定的图。

图13是表示将图12的XIII-XIII连结的直线处的光强度分布的图。

图14是对第一实施方式的发光装置中的、荧光部的光照射面的由第二区域反射的放射光的光强度分布进行模拟并测定的图。

图15是表示将图14的XV-XV连结的直线处的光强度分布的图。

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