[发明专利]发光装置有效

专利信息
申请号: 201810926935.0 申请日: 2018-08-14
公开(公告)号: CN109404746B 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 三浦创一郎 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: F21K9/20 分类号: F21K9/20;F21K9/68;F21Y115/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 雒运朴
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种发光装置,其特征在于,具有:

一个以上的半导体激光元件,该半导体激光元件的放射光具有椭圆形状的远场图;

光反射部,其设有对来自所述半导体激光元件的放射光进行反射的光反射面;以及

荧光部,其具有供由所述光反射面反射的放射光照射的光照射面,且通过所述光照射面被照射所述放射光而发出荧光,

所述光反射面的供所述放射光照射的区域具有将所述椭圆形状的远场图在长边方向上分为两个以上而得到的多个区域中的、与位于一端的区域对应的第一区域以及与位于另一端的区域对应的第二区域,

所述第一区域及所述第二区域设为,在所述光照射面中,使由所述第一区域反射的放射光中的由接近所述第二区域的一侧反射的放射光与由所述第二区域反射的放射光中的由远离所述第一区域的一侧反射的放射光重叠,并且,使由所述第一区域反射的放射光中的由远离所述第二区域的一侧反射的放射光与由所述第二区域反射的放射光中的由接近所述第一区域的一侧反射的放射光重叠。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,

所述多个区域还具有位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域,

所述第三区域设为,在所述光照射面中,使由所述第三区域反射的放射光中的由接近所述第一区域的一侧反射的放射光与由所述第一区域反射的放射光中的由远离所述第二区域的一侧反射的放射光重叠,并且,使由所述第三区域反射的放射光中的由接近所述第二区域的一侧反射的放射光与由所述第二区域反射的放射光中的由远离所述第一区域的一侧反射的放射光重叠。

3.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,

所述多个区域作为将所述椭圆形状的远场图在长边方向上分为三个而得到的区域而具有与位于一端的区域对应的所述第一区域、与位于另一端的区域对应的所述第二区域、以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域,

所述第一区域设为,在所述光照射面中,使由所述第一区域反射的放射光与由所述第三区域反射的放射光中的由接近所述第一区域和所述第二区域中的一方的一侧反射的放射光重叠,

所述第二区域设为,在所述光照射面中,使由所述第二区域反射的放射光与由所述第三区域反射的放射光中的由接近所述第一区域和所述第二区域中的另一方的一侧反射的放射光重叠。

4.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于,

所述第一区域设为,在所述荧光部的光照射面中,使由所述第一区域反射的放射光与由所述第三区域反射的放射光中的由接近所述第二区域的一侧反射的放射光重叠,

所述第二区域设为,在所述荧光部的光照射面中,使由所述第二区域反射的放射光与由所述第三区域反射的放射光中的由接近所述第一区域的一侧反射的放射光重叠。

5.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,

所述第一区域及所述第二区域分别设为,在所述荧光部的光照射面中,使由所述第一区域反射的放射光的强度分布与由所述第二区域反射的放射光的强度分布相对于与所述长边方向对应的方向而线对称。

6.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,

所述第一区域及所述第二区域均为平面。

7.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,

所述第一区域位于比所述第二区域接近所述半导体激光元件的一侧的位置,

所述第一区域的面积小于所述第二区域的面积。

8.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,

所述光反射面为曲面,

所述光反射面设为,使由与位于所述椭圆形状的远场图的长边方向的两端的区域对应的区域反射的放射光的发散角小于由与位于所述长边方向的中央的区域对应的区域反射的放射光的发散角,以使得所述光照射面中的放射光的强度分布接近均匀。

9.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,

所述光反射部为在至少一面具有所述光反射面的光学元件。

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