[发明专利]具有反向偏压机制的堆叠SOI半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一半导体层，形成于第一埋置绝缘层上；

第一电路元件，形成于该第一半导体层之中及该第一半导体层上方；

导电层，形成于该第一电路元件上方；

第二埋置绝缘层，形成于该导电层上；以及

第二半导体层，形成于该第二埋置绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括形成于该第二半导体层之中及该第二半导体层上方的第二电路元件。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该导电层包括金属种类。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该导电层包括掺杂半导体材料。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括位于该第一埋置绝缘层下方的的导电区域。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括第一接触元件，其自该第二半导体层延伸至该导电区域。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括第二接触元件，其自该第二半导体层延伸至该导电层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一半导体层以及该第二半导体层中的至少一者为具有15纳米或更小的层厚。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，该第一半导体层与该第二半导体层同时具有15纳米或更小的该层厚。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，该第一半导体层形成第一晶体管元件的第一沟道区域的至少一部分，以及该第二半导体层形成第二晶体管元件的第二沟道区域的至少一部分。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，该第一晶体管元件以及该第二晶体管元件中的至少一者为全耗尽晶体管元件。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括形成于该第二半导体层上方的第三埋置绝缘层，随后第三半导体层形成于该第三埋置绝缘层上方。

13.一种半导体装置，包括：

第一装置区域，包括形成于第一埋置绝缘层上的第一半导体区域，该第一埋置绝缘层形成于第一反向偏压区域上；以及

第二装置区域，包括形成于第二埋置绝缘层上的第二半导体区域，该第二埋置绝缘层形成于第二反向偏压区域上，该第一装置区域以及该第二装置区域形成堆叠装置配置。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括形成中间介电材料使得该第一装置区域与该第二装置区域在该半导体装置的高度方向上分离。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括形成于该第一装置区域中的第一晶体管元件。

16.根据权利要求15所述的半导体装置，还包括形成于该第二装置区域中的第二晶体管元件。

17.根据权利要求16所述的半导体装置，其中，该第一晶体管元件以及该第二晶体管元件中的至少一者为全耗尽晶体管元件。

18.一种方法，包括：

形成电路元件在形成于第一埋置绝缘层上的第一半导体层之中及该第一半导体层上方；以及

形成层叠于该电路元件上方，该层叠包括导电层、第二埋置绝缘层以及第二半导体层，该导电层位于该电路元件的旁边。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括在形成该层叠之前，形成中间介电材料于该电路元件上方。

20.根据权利要求18所述的方法，还包括形成第一接触元件以从该第二半导体层延伸至形成于该第一埋置绝缘层下方的反向偏压区域，以及形成第二接触元件以从该第二半导体层延伸至该导电层。