[发明专利]微LED显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201810921529.5 | 申请日: | 2018-08-14 |
公开(公告)号: | CN109427838B | 公开(公告)日: | 2023-07-07 |
发明(设计)人: | 金根仱 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/44 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 显示装置 及其 制造 方法 | ||
微LED显示装置及其制造方法。一种微LED显示装置包括:基板;第一绝缘层,该第一绝缘层位于所述基板上并且包括第一区域和第二区域;微LED,该微LED位于所述第一区域中;其中,所述第一区域具有第一亲水性,并且所述第二区域具有小于所述第一亲水性的第二亲水性。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置,更具体而言,涉及微LED显示装置以及制造该微LED显示装置的具有高产量的方法。
背景技术
随着显示装置的尺寸变得更大,对具有更大分辨率的平板显示装置的要求也增加。例如,液晶显示器(LCD)装置和作为平坦的显示装置的包括有机发光二极管的有机电致发光显示装置获得快速发展。
在LCD装置中,背光单元布置在液晶面板下面,其中,极化板附接在后表面和前表面上,并且LCD装置相对于来自于背光单元中的光源的光可以具有大约5%的透光率。因而,LCD装置存在光学效率低下的缺点。
有机电致发光显示装置具有大于LCD装置的光学效率。然而,有机电致发光显示装置的光学效率仍然受限。另外,有机电致发光显示装置的耐用性和/或使用寿命存在不足。
近来,为了克服LCD装置和有机电致发光显示装置的问题,已经提出了微发光二极管(微LED)显示装置。
在微LED显示装置中,将尺寸小于大约100微米的超小型LED布置在每个像素中以显示图像。微LED显示装置具有的优点在于功耗和小型化。
在微LED显示装置中,将微LED布置在每个像素中,该微LED可以被称为无机LED(iLED)或晶体LED。使用印模(stamp)将晶片上生长的微LED转印在显示装置的阵列基板上。
然而,几千个或几万个微LED的转印过程非常复杂,并且转印过程的收得率相当低。因而,微LED显示装置的产量降低。
发明内容
因而,本发明的实施方式涉及微LED显示装置和制造该微LED显示装置的方法,该微LED显示装置及其制造方法基本消除由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题,并且具有其它优点。
本发明的附加特征和优点将在随后的描述中进行阐述,并且将部分地从该描述而变得清楚,或者可以通过本发明的实践而获知。本发明的目标和其它优点将通过在撰写的说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
实施方式涉及一种微LED显示装置,该微LED显示装置包括:基板;第一绝缘层,该第一绝缘层位于所述基板上并且包括第一区域和第二区域;微LED,该微LED位于所述第一区域中;其中,所述第一区域具有第一亲水性,并且所述第二区域具有小于所述第一亲水性的第二亲水性。
实施方式还涉及一种制造微LED显示装置的方法,该方法包括以下步骤:在基板上形成绝缘层;向所述绝缘层照射UV光线;通过使印模上的微LED接触所述绝缘层而将所述微LED转印到所述绝缘层上;以及将所述印模与所述微LED分开。
实施方式还涉及一种制造微发光二极管(微LED)显示装置的方法,该方法包括以下步骤:将印模布置在包括微LED的晶片上方;在所述印模上照射UV光线以增加所述印模的亲水性;通过使所述印模与所述微LED接触而将所述微LED转印至所述印模;将具有所述微LED的所述印模布置在基板上方;向所述印模上照射可见光线以减小所述印模的亲水性;以及将所述微LED转印至所述基板。
要理解的是,上面的一般性描述和下面的详细描述都是示例,并且是说明性的,目的是提供对所要求保护的发明的进一步理解。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解并且被并入且构成本说明书的一部分,附图例示了本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本发明的实施方式的微LED显示装置的示意平面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的