[发明专利]激光系统以及光刻设备

说明书

一种激光系统，包括一种子激光装置，配置以发射一输出激光、以及一激光功率放大装置，配置以放大输出激光的功率并发射输出激光。激光功率放大装置包括一容置腔，用以容纳一增益介质，包括一第一开口以及一第二开口、一入射透光元件，设置于第一开口、一出射透光元件，设置于第二开口、以及一能量泵浦，配置以提供能量于增益介质。入射透光元件与输出激光之间具有一第一布鲁斯特角。本公开还提供一种光刻设备。

技术领域

本公开主要涉及一种激光系统，特别涉及一种应用于光刻设备的激光系统。

背景技术

半导体装置已使用于多种电子上的应用，例如个人电脑、手机、数码相机、以及其他电子设备。半导体装置基本上依序经由沉积绝缘层或介电层、导电层、以及半导体层的材料至一晶片、以及使用光刻技术图案化多种材料层来形成电路组件以及元件于其上而被制造。许多集成电路一般制造于一单一晶片，且晶片上个别的管芯于集成电路之间沿着一切割线被切割分离。举例而言，个别的管芯基本上被分别的封装于一多芯片模块或是其他类型的封装。

由于半导体工艺的尺寸的小型化的要求，于光刻设备中采用了极紫外线作为曝光工艺中的光源，以使晶片上的光致抗蚀剂形成半导体工艺所需的图案。

然而，虽然目前使用极紫外线作为曝光工艺中的光源的光刻设备符合了其使用的目的，但尚未满足许多其他方面的要求。因此，需要提供光刻设备的改进方案。

发明内容

本公开提供了一种激光系统，包括一种子激光装置，配置以发射具有一第一功率的一输出激光、以及一激光功率放大装置，配置以放大输出激光的第一功率并发射具有一第二功率的输出激光。激光功率放大装置包括一容置腔，用以容纳一增益介质，包括一第一开口以及一第二开口、一入射透光元件，设置于第一开口、一出射透光元件，设置于第二开口、以及一能量泵浦，配置以提供能量于增益介质。

具有第一功率的输出激光穿过入射透光元件进入容置腔内并通过增益介质，且容置腔内具有第二功率的输出激光穿过出射透光元件射出于激光功率放大装置。入射透光元件与照射于入射透光元件且具有第一功率的输出激光之间具有一第一布鲁斯特角。

本公开提供了一种光刻设备，包括一激发腔、一标的发射器，设置于激发腔上，且用以发射一标的、一种子激光装置，配置以发射具有一第一功率的一输出激光、以及一激光功率放大装置，配置以放大输出激光的第一功率并发射具有一第二功率的输出激光。激光功率放大装置包括一容置腔，用以容纳一增益介质、一入射透光元件，设置于容置腔的一侧、一出射透光元件，设置于容置腔的另一侧、以及一能量泵浦，配置以提供能量于增益介质。

光刻设备还包括一激光发射器，配置以接收由激光功率放大装置所射出的输出激光并发射一脉冲激光至标的。具有第一功率的输出激光穿过入射透光元件进入容置腔内并通过增益介质，且容置腔内具有第二功率的输出激光穿过出射透光元件射出于激光功率放大装置。入射透光元件与照射于入射透光元件且具有第一功率的输出激光之间具有一第一布鲁斯特角。

附图说明

图1为根据本公开的一些实施例的光刻设备的示意图。

图2为根据本公开的一些实施例的光刻方法的步骤流程图。

图3为根据本公开的一些实施例的种子激光装置的示意图。

图4为根据本公开的一些实施例的激光功率放大装置的示意图。

图5为根据本公开的一些实施例的激光系统的示意图。

图6为根据本公开的一些实施例的光刻设备的示意图。

附图标记说明：

光刻设备 1

光源装置 10

曝光腔 20

照明装置 30