[发明专利]外设式多芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种外设式多芯片封装结构，其特征在于，包括：

封装基板，具有相对设置的基板上表面及基板下表面，所述封装基板具有若干通孔，且所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚；

功能芯片，设置于所述封装基板的上方，所述功能芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面，所述第一下表面与所述基板上表面面对面设置，且所述第一下表面具有若干第一电极；

滤波器芯片，设置于所述封装基板的上方，所述滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面，所述第二下表面与所述基板上表面面对面设置，且所述第二下表面具有若干第二电极；

若干互连结构，用于经由若干通孔而导通若干第一电极、若干第二电极及若干外部引脚。

2.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述互连结构包括金属柱、焊锡及电镀层结构，所述金属柱设置于所述第一电极及所述第二电极的下方，所述电镀层结构导通所述外部引脚，所述焊锡用于导通所述金属柱及所述电镀层结构。

3.根据权利要求2所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述电镀层结构包括覆盖于所述通孔内壁并往所述基板上表面、所述基板下表面方向延伸的电镀层，所述电镀层的上表面与所述第一电极/所述第二电极之间通过所述焊锡连接，所述焊锡连接所述第一电极/所述第二电极，且所述焊锡包覆所述金属柱并往所述通孔方向延伸而导通所述通孔内壁的所述电镀层。

4.根据权利要求3所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述电镀层结构还包括连接于所述电镀层下方的下重布线层，所述多芯片封装结构还包括包覆所述电镀层及所述焊锡的第一绝缘层以及包覆所述第一绝缘层及所述下重布线层的第二绝缘层，所述下重布线层经过所述第二绝缘层上的孔洞导通所述电镀层并往所述第二绝缘层的下表面方向延伸，所述外部引脚连接所述下重布线层，且所述第二绝缘层暴露所述外部引脚。

5.根据权利要求1所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述多芯片封装结构还包括围堰，所述围堰与所述第二下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔。

6.根据权利要求5所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述围堰包括第一围堰及第二围堰，所述第一围堰位于对应所述滤波器芯片的所述通孔的内侧，所述第一围堰与所述第二下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔，所述第二围堰填充所述第一下表面/所述第二下表面与所述基板上表面之间的其他区域。

7.根据权利要求6所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述第二围堰朝远离所述第一围堰的方向延伸直至所述第二围堰的外侧缘与所述封装基板的外侧缘齐平。

8.根据权利要求6所述的多芯片封装结构，其特征在于，所述多芯片封装结构还包括位于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧的塑封层，所述塑封层同时包覆所述第二围堰暴露在外的上表面区域、所述滤波器芯片及所述功能芯片。

9.一种外设式多芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

S1：提供封装基板，其具有相对设置的基板上表面及基板下表面；

S2：于所述封装基板上形成若干通孔；

S3：于所述通孔内形成第一互连结构；

S4：提供功能芯片及滤波器芯片，所述功能芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面，所述滤波器芯片具有相对设置的第一上表面及第二下表面，且所述功能芯片具有若干第一电极，所述滤波器芯片具有若干第二电极；

S5:于所述第一电极下方及所述第二电极下方形成第二互连结构；

S6：将所述功能芯片及所述滤波器芯片装载至所述封装基板，所述第一下表面与所述基板上表面面对面设置，所述第二下表面与所述基板上表面面对面设置；

S7：导通第一互连结构及第二互连结构；

S8：于所述第二互连结构处形成外部引脚。

10.根据权利要求9所述的多芯片封装结构的制作方法，其特征在于，步骤S3具体包括：

于所述通孔内壁及连接所述通孔内壁的部分基板上表面、基板下表面上形成电镀层；

于所述基板上表面、电镀层上方布设光敏感绝缘膜；

曝光和显影形成围堰，所述围堰包括第一围堰及第二围堰。

步骤S5、S6、S7、S8具体包括：

于所述第一电极及所述第二电极的下表面形成金属柱；

将所述功能芯片及所述滤波器芯片装载至所述封装基板，所述第一下表面与所述基板上表面面对面设置，所述第二下表面与所述基板上表面面对面设置，所述第一围堰位于对应所述滤波器芯片的所述通孔的内侧，所述第一围堰与所述第二下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔，所述第二围堰填充所述第一下表面/所述第二下表面与所述基板上表面之间的其他区域，且所述金属柱准对应的通孔；

于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧形成塑封层，所述塑封层同时包覆所述第二围堰暴露在外的上表面区域、所述滤波器芯片及所述功能芯片；

于所述金属柱外围形成焊锡，所述焊锡延伸至所述通孔并导通所述通孔内壁的电镀层；

于所述基板下表面及所述通孔内的焊锡外部形成第一绝缘层；

于所述第一绝缘层的下方形成经过所述第一绝缘层上的孔洞导通所述电镀层的下重布线层；

形成包覆所述第一绝缘层及所述下重布线层的第二绝缘层，所述第二绝缘层暴露出所述下重布线层；

于暴露在外的下重布线层形成球栅阵列。