[发明专利]微型发光二极管及发光装置

说明书

一种微型发光二极管，包括第一型半导体、发光层、第二型半导体、第一电极以及第二电极。第一型半导体具有沿一方向延伸的柱体。发光层实质上包覆第一型半导体的柱体。第二型半导体实质上包覆发光层。第一电极与第一型半导体电性连接。第二电极设置于第二型半导体上且与第二型半导体电性连接。此外，包括上述微型发光二极管的发光装置也被提出。本发明微型发光二极管是一个能向三度空间发光的立体发光结构，由于微型发光二极管能朝三度空间发光，因此发光装置的亮度能提升。

技术领域

本发明是有关于一种光电元件及光电装置，且特别是关于一种微型发光二极管及发光装置。

背景技术

发光二极管具有省电、高效率、高亮度等优点，因此，发光二极管已取代冷阴极管成为新世代的光源。发光二极管包括微型发光二极管(micro- LED)。多个微型发光二极管可组成各样的发光装置。举例而言，由于微型发光二极管具有照射面积小的特性，因此，多个微型发光二极管适合应用在液晶显示设备的背光模块，进而使背光模块具有分区发光(local dimming) 的能力。

一般而言，微型发光二极管可分为水平式、垂直式及覆晶式。水平式微型发光二极管于相同的一侧具有电性连接至第一型半导体的第一电极及电性连接至第二型半导体的第二电极。水平式微型发光二极管的第一电极及第二电极可利用导线(例如：金线)电性连接至发光层下方的驱动线路。然而，水平式微型发光二极管的第一电极、第二电极及导线会遮蔽发光层的部分面积，而不利于亮度的提升。垂直式微型发光二极管于相对的两侧分别具有电性连接至第一型半导体的第一电极及电性连接至第二型半导体的第二电极。然而，垂直式微型发光二极管的第一电极与载板上的驱动线路的接合难度高。此外，用以使多个垂直式微型发光二极管的第二电极互相电性连接的导电层，其透光度不高，而不利于亮度的提升。覆晶式微型发光二极管于靠近载板一侧具有电性连接至第一型半导体的第一电极及电性连接至第二型半导体的第二电极。然而，覆晶式微型发光二极管易出现电流拥挤(current crowded)现象，进而使覆晶式微型发光二极管操作于高功率时产生散热问题。

发明内容

本发明提供一种微型发光二极管，性能佳。

本发明提供一种发光装置，性能佳。

本发明一实施例的微型发光二极管，包括第一型半导体、发光层、第二型半导体、第一电极以及第二电极。第一型半导体具有沿一方向延伸的柱体。发光层实质上包覆第一型半导体的柱体。第二型半导体实质上包覆发光层。第一电极与第一型半导体电性连接。第二电极设置于第二型半导体上且与第二型半导体电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的第二电极包括脊部以及多个肋部组。脊部沿该方向延伸。多个肋部组彼此隔开。各肋部组的多个肋部分别设置于脊部的相对两侧且与脊部连接。第一型半导体的柱体位于至少一肋部组的多个肋部之间。

在本发明的一实施例中，上述的第一型半导体的柱体、发光层以及第二型半导体构成柱状半导体结构，第二电极的脊部以及第二电极的多个肋部组设置于柱状半导体结构的周面上。

在本发明的一实施例中，上述的第二电极更包括顶部，与脊部连接，且设置于柱状半导体结构的顶面上。

在本发明的一实施例中，上述的柱状半导体结构位于第一电极与第二电极的顶部之间。

在本发明的一实施例中，上述的第二电极更包括底部，位于柱状半导体结构旁，其中脊部连接于顶部与底部之间。

在本发明的一实施例中，上述的微型发光二极管，更包括绝缘层，具有一开口，其中第一型半导体的柱体设置于绝缘层的开口，绝缘层的实体位于发光层与第一电极之间，绝缘层的实体更位于第二型半导体层与第一电极之间。

在本发明的一实施例中，上述的第一型半导体还具有生长基底，柱体形成于生长基底上，而生长基底位于柱体与第一电极之间。

本发明一实施例的发光装置，包括多个如前述的微型发光二极管，呈数组排列。