[发明专利]微型发光二极管及发光装置

权利要求书

1.一种微型发光二极管，其特征在于，该微型发光二极管包括：

一第一型半导体，具有沿一方向延伸的一柱体；

一发光层，实质上包覆该第一型半导体的该柱体；

一第二型半导体，实质上包覆该发光层；

一第一电极，与该第一型半导体电性连接；以及

一第二电极，设置于该第二型半导体上且与该第二型半导体电性连接；

其中，该第二电极包括：

一脊部，沿该方向延伸；以及

多个肋部组，彼此隔开，其中各该肋部组的多个肋部分别设置于该脊部的相对两侧且与该脊部连接，而该第一型半导体的该柱体位于至少一肋部组的多个肋部之间。

2.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，该第一型半导体的该柱体、该发光层以及该第二型半导体构成一柱状半导体结构，该第二电极的该脊部以及该第二电极的该多个肋部组设置于该柱状半导体结构的一周面上。

3.如权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，该第二电极更包括：

一顶部，与该脊部连接，且设置于该柱状半导体结构的一顶面上。

4.如权利要求3所述的微型发光二极管，其特征在于，该柱状半导体结构位于该第一电极与该第二电极的该顶部之间。

5.如权利要求3所述的微型发光二极管，其特征在于，该第二电极更包括：

一底部，位于该柱状半导体结构旁，其中该脊部连接于该顶部与该底部之间。

6.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，该微型发光二极管更包括：

一绝缘层，具有一开口，其中该第一型半导体的该柱体设置于该绝缘层的该开口，该绝缘层的一实体位于该发光层与该第一电极之间，且该绝缘层的该实体更位于该第二型半导体层与该第一电极之间。

7.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，该第一型半导体还具有一生长基底，该柱体形成于该生长基底上，而该生长基底位于该柱体与该第一电极之间。

8.一种发光装置，包括多个权利要求1所述的微型发光二极管，呈数组排列。

9.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该发光装置更包括：

一介电层，覆盖该多个微型发光二极管之间的间隙以及各该微型发光二极管的该第二电极的该脊部及该多个肋部组，其中该介电层具有多个开口，分别与该多个微型发光二极管的多个该第二电极重叠；以及

一透光导电层，设置于该介电层上且实质上覆盖多个该第二电极。

10.如权利要求9所述的发光装置，其特征在于，更包括：

一绝缘层，具有多个开口，其中多个该柱体分别设置于该绝缘层的该多个开口，而该绝缘层的实体位于多个该发光层与多个该第一电极之间，该绝缘层的实体更位于多个该第二型半导体层与多个该第一电极之间。

11.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，多个该第一电极中的两相邻者直接连接。