[发明专利]纳秒脉冲电场在提高细胞干性中的用途

权利要求书

1.电场在增强细胞干性、提高细胞干性基因表达量、降低细胞甲基化相关基因表达量和/或降低细胞甲基化水平中的用途，优选的，所述电场为纳秒脉冲电场(nanosecondpulsed electric fields，nsPEFs)。

2.根据权利要求1所述的用途，其中所述电场被施加于细胞从而对细胞进行电击。

3.根据权利要求1或2的用途，其中所述细胞为干细胞，优选为多能干细胞、单能干细胞、胚胎干细胞、成体干细胞、iPS或间充质干细胞。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的用途，其中所述纳秒脉冲电场的脉宽在1-300ns之间和/或场强在1kV/cm-30kV/cm之间；优选的脉宽范围在10ns-150ns、20ns-100ns、30ns-80ns、40ns-70ns、50-60ns之间，例如1ns、2ns、3ns、4ns、5ns、6ns、7ns、8ns、9ns、10ns、15ns、20ns、25ns、30ns、35ns、40ns、45ns、50ns、55ns、60ns、65ns、70ns、75ns、80ns、85ns、90ns、95ns、100ns、105ns、110ns、115ns、120ns、125ns、130ns、135ns、140ns、145ns、150ns、155ns、160ns左右；优选的场强为1kV/cm、2kV/cm、3kV/cm、4kV/cm、5kV/cm、6kV/cm、7kV/cm、8kV/cm、9kV/cm、10kV/cm、11kV/cm、12kV/cm、13kV/cm、14kV/cm、15kV/cm、16kV/cm、17kV/cm、18kV/cm、19kV/cm、20kV/cm、21kV/cm、22kV/cm、23kV/cm、24kV/cm、25kV/cm、26kV/cm、27kV/cm、28kV/cm、29kV/cm、30kV/cm左右。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的用途，其中所述电击的次数为1-1000次，例如10-900次、20-800次、30-700次、40-600次、50-500次、60-400次、70-300次、80-200次、90-100次，具体如1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、30、40、50、60、70、80、90和100次；和/或所述电击的频率为1-1000Hz，例如10-900Hz、20-800Hz、30-700Hz、40-600Hz、50-500Hz、60-400Hz、70-300Hz、80-200Hz、90-100Hz，具体如1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、30、40、50、60、70、80、90、100Hz、200Hz、300Hz、400Hz、500Hz、600Hz、700Hz、800Hz、900Hz、1000Hz左右。

6.一种增强细胞干性、提高细胞干性基因表达量、降低甲基化基因表达量和/或降低细胞甲基化水平的方法，其中包括将电场施加于细胞从而对细胞进行电击的步骤，所述电场优选为纳秒脉冲电场；

所述细胞优选为干细胞，更优选为多能干细胞、单能干细胞、胚胎干细胞、成体干细胞、IPS或间充质干细胞。