[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、晶体管和显示基板

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示基板，其中方法包括：形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成栅金属层；在栅金属层上形成光刻胶的图形，以光刻胶的图形为掩膜对栅金属层进行刻蚀，形成栅极；在预设温度下烘烤光刻胶，以使光刻胶流动后包覆栅极的上表面和侧表面；以栅极以及包覆栅极的光刻胶为掩膜对栅绝缘层进行干刻，形成栅绝缘层的图形。利用栅极及包覆栅极的光刻胶为掩膜对栅绝缘层进行干刻时，可避免干刻时的等离子体对栅极金属造成轰击导致栅极金属散射入薄膜晶体管的沟道的技术问题，也就避免了散射到沟道的栅极金属影响沟道电压阈值稳定性的技术问题，优化了所制作的薄膜晶体管的阈值电压的均一性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制作方法、晶体管和显示基板。

背景技术

随着半导体技术的发展，薄膜晶体管的性能日益优化。其中，顶栅薄膜晶体管相比底栅薄膜晶体管具有高Ion、更高开口率和更好的稳定性。现有技术的顶栅薄膜晶体管的制作工艺中，为了使得氧化物沟道导体化，沉积氧化物形成栅绝缘层后，沉积栅极金属后刻蚀形成栅极图案，然后在栅极上对应的区域形成掩膜层，利用掩膜层进行栅绝缘层干法刻蚀。由于栅极金属刻蚀后有缩进，掩膜层的材料平行裸露于栅极外，在栅绝缘层干刻时等离子体对栅极金属的侧面有一定的轰击，导致部分栅极金属被轰击后散射入沟道区域。后续退火工艺中，散射入沟道的栅极金属会热扩散，导致所制作的晶体管的阈值电压(Vth)的均一性较差。

可见，现有的薄膜晶体管的制作方法存在制作的薄膜晶体管的阈值电压的均一性较差的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法、晶体管和显示基板，以解决现有的薄膜晶体管的制作方法存在制作的薄膜晶体管的阈值电压的均一性较差的技术问题。

为了达到上述目的，本发明实施例提供的具体方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅金属层；

在所述栅金属层上形成光刻胶的图形，以所述光刻胶的图形为掩膜对所述栅金属层进行刻蚀，形成栅极；

在预设温度下烘烤所述光刻胶，以使所述光刻胶流动后包覆所述栅极的上表面和侧表面；

以所述栅极以及包覆所述栅极的光刻胶为掩膜对所述栅绝缘层进行干刻，形成所述栅绝缘层的图形。

可选的，所述形成栅绝缘层的步骤之前，所述方法还包括：

形成有源层，所述栅极在所述有源层所在平面上的正投影位于所述有源层内；

所述形成所述栅绝缘层的图形的步骤之后，所述方法还包括：

以所述栅极以及包覆所述栅极的光刻胶为掩膜，对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行导体化处理。

可选的，所述对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行导体化处理的步骤之后，所述方法还包括：

对包覆所述栅极的侧表面的光刻胶进行灰化处理后，利用湿法刻蚀去除包覆所述栅极的上表面的光刻胶。

可选的，所述去除包覆所述栅极的光刻胶的步骤之后，所述方法还包括：

形成层间绝缘层，对所述层间绝缘层进行构图形成贯穿所述层间绝缘层的过孔；

在所述层间绝缘层上形成源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成源极和漏极，所述源极和漏极分别通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述有源层经过导体化处理后的部分连接。

可选的，所述预设温度的取值范围为130摄氏度至230摄氏度，烘烤的时长范围为2分钟至5分钟。