[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、晶体管和显示基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅金属层；

在所述栅金属层上形成光刻胶的图形，以所述光刻胶的图形为掩膜对所述栅金属层进行刻蚀，形成栅极，所述光刻胶为梯形，所述光刻胶的上表面的宽度大于下表面的宽度，且上表面的宽度大于栅极的宽度，所述光刻胶的下表面与侧表面的夹角为60°至70°；

在预设温度下烘烤所述光刻胶，以使所述光刻胶流动后包覆所述栅极的上表面和侧表面；

以所述栅极以及包覆所述栅极的光刻胶为掩膜对所述栅绝缘层进行干刻，形成所述栅绝缘层的图形；

所述形成栅绝缘层的步骤之前，所述方法还包括：

形成有源层，所述栅极在所述有源层所在平面上的正投影位于所述有源层内；

所述形成所述栅绝缘层的图形的步骤之后，所述方法还包括：

以所述栅极以及包覆所述栅极的光刻胶为掩膜，对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行导体化处理；

所述以所述栅极以及包覆所述栅极的光刻胶为掩膜对所述栅绝缘层进行干刻的步骤，包括：

采用包括CF₄和O₂的干刻混合气体进行干刻，其中，CF₄流量为2000sccm至2500sccm，O₂流量1000sccm至1500sccm；

所述对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行导体化处理的步骤，包括：

利用氨气或者氦气对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行等离子体处理；

所述对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行导体化处理的步骤之后，所述方法还包括：

对包覆所述栅极的侧表面的光刻胶进行灰化处理后，利用湿法刻蚀去除包覆所述栅极的上表面的光刻胶。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除包覆所述栅极的光刻胶的步骤之后，所述方法还包括：

形成层间绝缘层，对所述层间绝缘层进行构图形成贯穿所述层间绝缘层的过孔；

在所述层间绝缘层上形成源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成源极和漏极，所述源极和漏极分别通过贯穿所述层间绝缘层的过孔与所述有源层经过导体化处理后的部分连接。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设温度的取值范围为130摄氏度至230摄氏度，烘烤的时长范围为2分钟至5分钟。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成有源层的步骤之前，所述方法还包括：

形成遮光层，所述有源层在所述遮光层所在平面上的正投影落入所述遮光层内；

形成覆盖所述遮光层的缓冲层；

所述形成所述有源层的步骤包括：

在所述缓冲层上形成所述有源层。

5.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法制作得到。

6.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求5所述的薄膜晶体管。