[发明专利]发光组件的制造方法

说明书

本发明提供一种发光组件的制造方法，为减低将发光组件自具有晶格不匹配系窗层兼支承基板的半导体基板，透过刻划及劈裂予以分离时的劈裂不良率，在基板以晶格匹配系材料磊晶出第一半导体层、活性层及第二半导体层而形成发光层部，以与发光层部为晶格不匹配系材料磊晶出窗层兼支承基板，除去基板，形成第一欧姆电极，形成除去部，在除去部形成第二欧姆电极，由此制造半导体基板，自半导体基板以刻划及劈裂而分离发光组件，通过在与半导体基板发光层部形成面的反面，形成窗层兼支承基板中残留厚度为70μm以下沟槽，通过刻划及劈裂分离发光组件。

技术领域

本发明涉及一种发光组件的制造方法，特别是一种关于包含自半导体基板将发光组件透过刻划及劈裂予以分离的步骤的发光组件的制造方法。

背景技术

芯片直接封装(COB)等的产品，为自LED组件的散热性佳，且被采用于照明等的用途的LED芯片安装方法。将LED安装在COB等的场合，则必须为将芯片直接对基板接合的覆晶安装。为了实现覆晶安装，必须制作发光组件的一侧的表面上设有极性相异的通电用焊垫的覆晶。此外，设置有通电用焊垫的表面的相反侧的表面则必须以具有光提取功能的材料来构成。

以黄色～红色LED制作覆晶的场合，发光层使用AlGaInP系的材料。由于AlGaInP系材料不存在块状结晶，LED部以磊晶法形成，故起始基板会选择与AlGaInP不同的材料。起始基板大多选择GaAs或Ge，而这些基板具有对可见光的光吸收的特性，故制作覆晶的场合，会除去起始基板。

然而，形成发光层的磊晶层为极薄膜，故起始基板除去后便无法自立。因此必须以具有对发光波长呈现略透明而作为发光层的窗层的功能，以及厚度足以使其自立而作为支承基板的功能的材料及构成，与起始基板置换。

作为具有窗层兼支承基板的功能的置换材料，会选择GaP、GaAsP及蓝宝石等。不论选择上述任一种材料，皆为与AlGaInP系材料相异的材料，故晶格常数、热膨胀系数及杨氏系数等机械的特性会与AlGaInP系材料不同。

作为这样的技术，专利文献1中揭露了将GaP结晶成长而形成窗层兼支承基板的方法。

此处使用图3的(a)～(d)来说明过去的覆晶构造的发光组件的制造方法的一范例。

制造AlGaInP系磊晶晶圆的场合，一开始如图3的(a)所示，准备例如朝[001]方向倾斜15度的GaAs基板作为起始基板300。然后于GaAs基板300上以有机金属气相沉积(MOVPE)法，将(Al_xGa_1－x)_yIn_1－yP(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)所成的第一半导体层(N包覆层)301、(Al_xGa_1－x)_yIn_1－yP(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)所成的活性层302及(Al_xGa_1－x)_yIn_1－yP(0≦x≦1,0.4≦y≦0.6)所成的第二半导体层(P包覆层)303予以堆栈作为发光层部307。然后依序堆栈Ga_yIn_1－yP(0.0≦y≦1.0)所成的中间组成层304、具有0.5μm以上厚度的GaP窗层305。这些制作方法并不限定于MOVPE法，以分子束磊晶(MBE)法或化学束磊晶(CBE)法制作亦可。

然后相接于GaP窗层而形成GaAs_zP_1-z(0.0≦z≦0.1)所成的窗层兼支承基板306。虽然窗层兼支承基板306也可通过MOVPE法或MBE法形成，但亦能适宜地使用低价且沉积速度快的氢化物气相沉积(HVPE)法。厚度则可为例如100μm左右。