[发明专利]发光组件的制造方法在审
| 申请号： | 201810900221.2 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109411572A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 石崎顺也 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光组件 半导体基板 劈裂 发光层部 支承基板 刻划 半导体层 欧姆电极 除去部 窗层 基板 晶格 磊晶 匹配 制造 晶格匹配 不良率 活性层 出窗 残留 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光组件的制造方法，包含下列步骤：
在基板上，以与该基板为晶格匹配系的材料且通过磊晶成长而至少依序成长第一半导体层、活性层及第二半导体层，而形成发光层部；
以与该发光层部为晶格不匹配系的材料而将窗层兼支承基板予以磊晶成长在该发光层部上而形成该窗层兼支承基板；
除去该基板；
在该第一半导体层表面形成第一欧姆电极；
至少除去该第一半导体层与该活性层而形成除去部；
在该除去部的该第二半导体层或在该窗层兼支承基板上形成第二欧姆电极；
由此制造半导体基板，该半导体基板在该窗层兼支承基板上至少具有该除去部以外的发光层部、该第一欧姆电极及该第二欧姆电极，之后，自该半导体基板，透过刻划及劈裂而分离发光组件，由此制造发光组件，
其中，该发光组件的分离，系通过在与该半导体基板的该发光层部形成面侧为相反侧的表面，形成该窗层兼支承基板中残留厚度为70μm以下的沟槽，之后自该半导体基板的该发光层部形成面侧而沿着该沟槽对该半导体基板的表面给予刻划痕，对该沟槽的全长或一部分施加与该半导体基板垂直的力量，而分离该发光组件。
2.如权利要求1所述的发光组件的制造方法，其中该沟槽以湿式蚀刻或干式蚀刻形成。
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