[发明专利]去除光刻胶层的方法

说明书

本发明提供了一种去除光刻胶层的方法。包括：提供一除胶机台，所述除胶机台包括多个顺序排布的腔体；将形成有所述光刻胶层的半导体基底放置在所述除胶机台上，以去除所述光刻胶层；其中，在去除所述半导体基底上的所述光刻胶层的过程中，当半导体基底经过所述第一腔体时，通过控制所述第一腔体中所述热源相对于所述半导体基底的位置，以调整所述热源对所述半导体基底上的所述光刻胶层的加热强度；以及，当所述半导体基底经过所述第一腔体之后并依次通过其他腔体时，去除所述光刻胶层。本发明中的去除光刻胶层的方法，可以灵活调整对于光刻胶层的预加热强度，保证了最终形成的半导体集成电路的特性。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种去除光刻胶层的方法。

背景技术

在半导体集成电路的制作过程中，在对膜层执行图形化的过程中，通常需要利用光刻胶定义出相关的图形，并在将光刻胶层的图形复制至膜层中之后，再去除所述光刻胶层。

然而，在去除光刻胶层的过程中，常常会出现光刻胶残留的问题，并且残留的光刻胶还会在膜层的表面上固化而难以被去除，从而会对最终所形成的半导体器件造成不利影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种去除光刻胶层的方法，以解决现有的去除光刻胶层时容易出现光刻胶残留的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种去除光刻胶层的方法，包括：

提供一除胶机台，所述除胶机台包括多个顺序排布的腔体；

将形成有所述光刻胶层的半导体基底放置在所述除胶机台上，以去除所述光刻胶层；并且，在去除所述半导体基底上的所述光刻胶层时，所述半导体基底依次经过多个所述腔体，多个所述腔体中半导体基底经过的第一个腔体为第一腔体，所述第一腔体包括热源；

其中，在去除所述半导体基底上的所述光刻胶层的过程中，当半导体基底经过所述第一腔体时，通过控制所述第一腔体中所述热源相对于所述半导体基底的位置，以调整所述热源对所述半导体基底上的所述光刻胶层的加热强度；以及，当所述半导体基底经过所述第一腔体之后并依次通过其他腔体时，去除所述光刻胶层。

可选的，所述光刻胶层位于所述半导体基底远离所述热源的一侧。

可选的，通过控制所述第一腔体中所述热源相对于所述半导体基底的位置，以调整所述热源对所述光刻胶层的加热强度的方法，包括：

当控制所述热源处于第一位置时，以使所述热源靠近所述半导体基底；

当控制所述热源处于第二位置时，以使所述热源远离所述半导体基底，并且，所述热源位于所述第一位置时对所述光刻胶层的加热强度大于所述热源位于所述第二位置时对所述光刻胶层的加热强度。

可选的，所述半导体基底顺序经过多个所述腔体时，在每个所述腔体中均停留预设时间段。

可选的，在所述半导体基底经过所述第一腔体并停留所述预设时间段时，所述热源在所述预设时间段的第一时间段内处于第一位置，并在所述预设时间段的第二时间段内处于第二位置，以使所述热源在第一位置对所述半导体基底进行加热的时间段小于所述预设时间段。

可选的，所述预设时间段为10s，所述第一时间段取值范围为4s～6s，且所述第一时间段与所述第二时间段之和等于所述预设时间段。

可选的，通过其他腔体去除所述光刻胶层的方法，包括：

在所述半导体基底顺序经过除第一腔体之外的其他腔体时，利用灰化工艺去除所述光刻胶层。

可选的，所述其他腔体中均具有热源，所述热源用于维持所述腔体在预定温度范围内，以执行所述灰化工艺。

可选的，所述除胶机台包括承载机构，所述承载机构处于所述热源上方，用于承载并传递所述半导体基底。