[发明专利]去除光刻胶层的方法

权利要求书

1.一种去除光刻胶层的方法，其特征在于，包括：

提供一除胶机台，所述除胶机台包括多个顺序排布的腔体；

将形成有光刻胶层的半导体基底放置在所述除胶机台上，以去除所述光刻胶层；并且，在去除所述半导体基底上的所述光刻胶层时，所述半导体基底依次经过多个所述腔体，多个所述腔体中半导体基底经过的第一个腔体为第一腔体，所述第一腔体包括热源；

其中，在去除所述半导体基底上的所述光刻胶层的过程中，当半导体基底经过所述第一腔体时，通过控制所述第一腔体中所述热源相对于所述半导体基底的位置，以调整所述热源对所述半导体基底上的所述光刻胶层的加热强度；以及，当所述半导体基底经过所述第一腔体之后并依次通过其他腔体时，去除所述光刻胶层。

2.如权利要求1所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，所述光刻胶层位于所述半导体基底远离所述热源的一侧。

3.如权利要求1所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，通过控制所述第一腔体中所述热源相对于所述半导体基底的位置，以调整所述热源对所述光刻胶层的加热强度的方法，包括：

当控制所述热源处于第一位置时，以使所述热源靠近所述半导体基底；

当控制所述热源处于第二位置时，以使所述热源远离所述半导体基底，并且，所述热源位于所述第一位置时对所述光刻胶层的加热强度大于所述热源位于所述第二位置时对所述光刻胶层的加热强度。

4.如权利要求3所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，所述半导体基底顺序经过多个所述腔体时，在每个所述腔体中均停留预设时间段。

5.如权利要求4所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，在所述半导体基底经过所述第一腔体并停留所述预设时间段时，所述热源在所述预设时间段的第一时间段内处于第一位置，并在所述预设时间段的第二时间段内处于第二位置，以使所述热源在第一位置对所述半导体基底进行加热的时间段小于所述预设时间段。

6.如权利要求5所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，所述预设时间段为10s，所述第一时间段取值范围为4s～6s。

7.如权利要求1所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，通过其他腔体去除所述光刻胶层的方法，包括：

在所述半导体基底顺序经过除第一腔体之外的其他腔体时，利用灰化工艺去除所述光刻胶层。

8.如权利要求7所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，所述其他腔体中均具有热源，所述热源用于维持所述腔体在预定温度范围内，以执行所述灰化工艺。

9.如权利要求1所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，所述除胶机台包括承载机构，所述承载机构处于所述热源上方，用于承载并传递所述半导体基底。

10.如权利要求1所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，所述半导体基底上的所述光刻胶层为经过离子注入工艺之后的光刻胶层，并且所述离子注入工艺的离子注入剂量介于5×10¹⁵cm^-2～2×10¹⁷cm^-2之间。

11.如权利要求10所述的去除光刻胶层的方法，其特征在于，经过离子注入工艺之后的光刻胶层表面上形成有一外壳，且经过离子注入工艺之后的光刻胶层在经过所述第一腔体之后，表面上的外壳完整。