[发明专利]一种瞬态电压抑制器及其制作方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成沟槽；

在所述沟槽侧壁及底部的衬底区域内交替形成多个第一导电类型及第二导电类型的注入子区，其中，在所述沟槽底部对应的衬底区域内形成的是第一导电类型的注入子区，在所述沟槽侧壁对应的衬底顶部区域内形成的是第二导电类型的注入子区；

在所述沟槽侧壁上形成侧墙；

形成第一电极及第二电极；其中，所述第一电极形成于所述沟槽内与位于所述沟槽底部的第一导电类型的注入子区电连接，所述第二电极与位于所述沟槽侧壁的衬底顶部区域的第二导电类型的注入子区电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个注入子区包括N+1个第一注入子区及N个第二注入子区，所述第一注入子区为所述第一导电类型的注入子区，所述第二注入子区为第二导电类型的注入子区，其中，N为正奇数。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述N+1个第一注入子区及N个第二注入子区的步骤包括：

在所述沟槽侧壁做第一注入，以在所述沟槽侧壁及底部的衬底区域内形成第一导电类型的注入区；

在所述注入区内做N次第二注入，且在做每一次所述第二注入前在所述沟槽底部形成一层介质层，每次第二注入均以累积形成的介质层作为掩摸，逐步形成所述多个注入子区，其中，做第一次第二注入时的离子导电类型与做所述第一注入的离子导电类型相反且离子注入剂量高于所述第一注入的离子注入剂量，以将所述沟槽侧壁暴露出的注入区区域反型成第二导电类型；在N不为1的情况下，做第二次到第N次的第二注入时的离子浓度相对于做第一次第二注入依次增加且均与前一次的第二注入的导电类型相反，以分别将所述沟槽侧壁暴露出的注入区区域的导电类型反型成与前一次第二注入后相反；

去除所述沟槽内的介质层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟槽底部形成所述介质层的步骤包括：

在所述衬底表面以及所述沟槽内淀积氧化物；

回刻蚀所述氧化物至一定厚度，以形成所述介质层。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一次第二注入的离子注入剂量为所述第一注入的两倍，在N不为1的情况下，所述第二到第N次的第二注入的离子注入剂量分别为其前一次第二注入的两倍。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙的形成步骤包括：

在所述衬底表面和沟槽侧壁及底部形成氧化层；

做所述氧化层的回刻蚀工艺，去除衬底表面及所述沟槽底部的氧化层，形成所述侧墙。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述氧化层的过程包括：

对所述注入区做高温氧化工艺，形成所述氧化层，在形成所述氧化层的同时实现对所述注入区的热驱入过程。

8.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：

具有一沟槽的衬底；

形成在所述沟槽侧壁及底部的衬底区域的多个交替的第一导电类型及第二导电类型的注入子区，其中，在所述沟槽底部对应的衬底区域内形成的是第一导电类型的注入子区，在所述沟槽侧壁对应的衬底区域的顶部内形成的是第二导电类型的注入子区；

形成于所述沟槽侧壁上的侧墙；

第一电极，所述第一电极形成于所述沟槽内与位于所述沟槽底部的第一导电类型的注入子区电连接；及

第二电极，所述第二电极与位于所述衬底上表面的第二导电类型的注入子区电连接。