[发明专利]一种镀膜设备及镀膜方法

权利要求书

1.一种镀膜设备，包括真空室(1)，设置在所述真空室(1)中的靶材基座(11)和基底夹具(12)，所述靶材基座(11)设置于所述基底夹具(12)的上方；其特征在于，还包括电极切换装置(13)；

所述电极切换装置(13)与所述靶材基座(11)相互连接，且所述靶材基座(11)为偶数个；

所述镀膜设备还包括：设置于所述真空室(1)中与所述靶材基座(11)相邻且用于提供并增强所述靶材基座(11)位置等离子体运动速度的射频发生器(14),以及设置与所述真空室(1)外部且与所述靶材基座(11)相对的交变磁场装置(19)；

所述电极切换装置(13)为交流电极切换装置。

2.根据权利要求1所述的镀膜设备，其特征在于，所述靶材基座(11)上设置有线性位移装置；

沿竖直方向，所述线性位移装置驱动所述靶材基座(11)往复移动。

3.根据权利要求1或2所述的镀膜设备，其特征在于，还包括：设置在所述真空室(1)上的离子源(15)和抽气装置(16)，用于向所述真空室(1)中通入气体的进气管(17)，用于抽取所述真空室(1)中气体的出气管(18)；

所述进气管(17)包括用于输送惰性气体的第一进气管(171)和用于通入反应气体的第二进气管(172)。

4.根据权利要求3所述的镀膜设备，其特征在于，所述进气管(17)与所述出气管(18)相对设置。

5.一种采用权利要求1至4任一所述镀膜设备的镀膜方法，包括：

S1.在真空室(1)中分别安装溅射靶材和基底，并将真空室(1)中的压力控制在预设压力值；

S2.向所述真空室(1)通入惰性气体，并将所述惰性气体电离后轰击所述溅射靶材和所述基底的表面进行预处理；

S3.向所述真空室(1)中通入反应气体，在所述基底上镀制膜层，其中，以预设周期交替变换所述溅射靶材的电极性。

6.根据权利要求5所述的镀膜方法，其特征在于，所述惰性气体和所述反应气体通入的体积流量小于120sccm。

7.根据权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气，所述反应气体为氢气或氧气；

若所述反应气体为氢气，则所述氩气与所述氢气的体积流量满足0.2≤V_H2/V_Ar≤0.5，其中，所述V_H2为氢气的体积流量，所述V_Ar为氩气的体积流量。

8.根据权利要求7所述的镀膜方法，其特征在于，步骤S3中，在所述基底上镀制膜层时，其溅射反应温度为80℃～300℃，溅射速率V满足：0.1nm/s≤V≤1nm/s。

9.根据权利要求5或8所述的镀膜方法，其特征在于，步骤S3中，所述膜层包括IR带通膜层和AR长波通膜层，所述IR带通膜层和所述AR长波通膜层分别镀制在所述基底相对的两侧；

所述IR带通膜层和所述AR长波通膜层分别采用第一折射率材料、第二折射率材料、第三折射率材料中的两种或三种交替镀制而成，其中，所述第一折射率材料的折射率小于3，所述第二折射率材料的折射率大于3，所述第三折射率材料的折射率小于4。

10.根据权利要求9所述的镀膜方法，其特征在于，所述IR带通膜层和所述AR长波通膜层分别与所述基底连接的一层采用所述第一折射率材料或所述第三折射率材料镀制；

所述IR带通膜层和所述AR长波通膜层分别与入射介质靠近的一层采用所述第一折射率材料或所述第三折射率材料镀制。