[发明专利]太阳能电池

说明书

太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

本申请是原案申请号为201510892086.8的发明专利申请(申请日为2015年11月30日、发明名称为“太阳能电池及其制造方法”)的分案申请。

技术领域

本发明的实施方式涉及太阳能电池及其制造方法。

背景技术

近来，由于诸如石油和煤这样的现有能源预计将被耗尽，因此对将取代现有能源的可替代能源的兴趣正在增长。太阳能电池作为可替代能源从太阳能产生电能，并且已经引人注意，因为太阳能电池使用的是丰富的能源，并且从环境污染的观点来看，太阳能电池没有问题。

太阳能电池包括：基板，该基板由具有诸如p型和n型这样的不同的导电类型的半导体制成；第二导电类型半导体区域(或发射极层)；以及电极，所述电极分别连接到基板和第二导电类型半导体区域。在基板和第二导电类型半导体区域的接口处形成p-n结。

当光入射在这种太阳能电池上时，从半导体中产生多个电子-空穴对。所产生的电子-空穴对被分离成电子和空穴。所分离的电子和空穴分别朝向n型半导体和p型半导体(例如，分别朝向第二导电类型半导体区域和基板)移动，并且由电连接至该基板和该第二导电类型半导体区域的电极收集。电极用线连接，因此获得电能。

发明内容

根据本发明的示例的太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层(tunnel layer)，该隧穿层位于半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，该第一导电类型半导体区域位于隧穿层上，并且被构造为包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，该第二导电类型半导体区域位于作为半导体基板的相反表面的第二表面上，并且被构造为包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，该第一钝化膜位于第一导电类型半导体区域上；第一电极，该第一电极在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接至第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，该第二钝化膜位于第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，该第二电极在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接至第二导电类型半导体区域。

在这种情况下，第一电极可以包括彼此间隔开并且在第一方向上平行地延伸的多个第一指状电极，并且第二电极可以包括彼此间隔开并且在第一方向上平行地延伸的多个第二指状电极。

此外，第一电极还可以包括被构造为与多个第一指状电极互连的第一汇流条，并且第二电极还可以包括被构造为与多个第二指状电极互连的第二汇流条。

在这种情况下，第一导电类型半导体区域可以由多晶硅材料制成，并且第二导电类型半导体区域可以由单晶硅材料制成。

此外，可以在半导体基板的第一表面、侧面和第二表面中的任何一个上形成用于防止第一导电类型半导体区域和第二导电类型半导体区域之间的接触的隔离部。

例如，隔离部可以不包括隧穿层和第一导电类型半导体区域，并且可以在半导体基板的第一表面、侧面和第二表面中的任何一个的边缘部中。第一钝化膜可以与隔离部一起覆盖半导体基板的第一表面、侧面和第二表面中的任何一个。

在这种情况下，隔离部的宽度可以是1nm至1mm。第一导电类型半导体区域中的边缘区域的厚度可以朝向隔离部逐渐地减小。

另外，第一钝化膜可以包括在半导体基板的侧面向上延伸的侧部。