[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

单晶硅半导体基板；

隧穿层，所述隧穿层在所述半导体基板的后表面上；

由多晶硅形成的后表面场层，所述后表面场层在所述隧穿层上；

第一钝化膜，所述第一钝化膜在所述后表面场层上；

第一电极，所述第一电极具有多个第一指状电极和第一汇流条，并且所述第一电极穿过所述第一钝化膜的开口连接到所述后表面场层；

第二电极，所述第二电极具有多个第二指状电极和第二汇流条，并且所述第二电极连接到所述半导体基板的前表面；以及

多个金属晶体，所述多个金属晶体从所述第一电极中提取，其中，所述多个金属晶体处于属于所述后表面场层并且形成所述第一电极的电极形成区域中，并且

其中，所述多个金属晶体不形成在所述隧穿层中。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：

发射极区域，所述发射极区域在所述半导体基板的前表面上或前表面中；以及

第二钝化膜，所述第二钝化膜在所述发射极区域上，并且

所述第二电极穿过所述第二钝化膜的开口连接到所述发射极区域。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一指状电极彼此间隔开并且在第一方向上平行地延伸，并且

所述多个第二指状电极彼此间隔开并且在所述第一方向上平行地延伸。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括隔离部，所述隔离部用于防止所述后表面场层和所述发射极区域之间的接触，

其中，所述隔离部形成在所述半导体基板的后表面上。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述隔离部不包括所述隧穿层和所述后表面场层，并且位于所述半导体基板的后表面的边缘部中，并且

所述第一钝化膜同时覆盖所述半导体基板的后表面和所述隔离部。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述隔离部的宽度为1nm至1mm。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述后表面场层的边缘区域的厚度朝向所述隔离部逐渐减小。

8.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一钝化膜包括在所述半导体基板的侧表面向上延伸的侧部。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述第二钝化膜包括在所述半导体基板的所述侧表面上形成的侧部，并且

所述第一钝化膜的在所述半导体基板的所述侧表面上的所述侧部位于所述第二钝化膜的所述侧部上。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括：

第一边界表面，所述后表面场层与所述第一电极在所述第一边界表面中彼此接触；以及

第二边界表面，所述后表面场层与所述第一钝化膜在所述第二边界表面中彼此接触，

其中，所述第一边界表面比所述第二边界表面更靠近所述半导体基板。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个金属晶体不处于属于所述后表面场层并且不形成所述第一电极的非形成区域中。

12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个金属晶体与所述第一电极直接接触或者与所述第一电极间隔开。

13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述多个第一指状电极和所述第一汇流条全部穿过所述第一钝化膜连接到所述后表面场层。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，所述多个第一指状电极和所述第一汇流条全部具有单层结构或双层结构。