[发明专利]具有聚合物支座的微型帽式封装

说明书

本发明涉及一种具有聚合物支座的微型帽式封装。一种设备包含：衬底；盖子，其安置于所述衬底上方且包括围绕所述衬底的周边安置的杆，所述杆围住所述盖子与所述衬底之间的腔；电子装置，其安置于所述衬底的上表面上方且位于所述腔中；电接触垫；和电绝缘层，其安置于所述电接触垫与所述盖子的上表面之间。

技术领域

本发明大体来说涉及一种微型帽式封装，且更特定来说，涉及具有聚合物支座的微型帽式封装。

背景技术

电谐振器被广泛地并入于现代电子装置中。举例来说，在无线通信装置中，在滤波器中使用射频(RF)谐振器及微波频率谐振器(例如，滤波器具有串联电连接及分流谐振器)，从而形成梯形及网格结构。滤波器可包含于多路复用器(例如，双路复用器)中，举例来说，所述多路复用器连接于天线(或在多输入多输出(MIMO)设计的情形中，多个天线)与收发器之间、用于对通常在预定无线频带内的所接收及所发射信号进行滤波。举例来说，其中可包含滤波器的其它类型的多路复用器是双工器、三工器、四工器、五工器等。多路复用器介接于天线与各种网络中的每一个之间以能够在不同发射(上行链路)频率上发射信号且在不同接收(下行链路)频率上接收信号。与多路复用器相关联的滤波器通常包含带通滤波器，所述带通滤波器提供通带以通过相对窄的频带来使各种所发射及所接收信号通过(阻挡具有在通带之外的频率的所有信号)。

如将了解，期望减小电子装置的组件大小。许多已知的滤波技术给总体系统微型化带来阻碍。在需要减小组件大小的情况下，已出现基于压电效应的一种类别的谐振器。在基于压电的谐振器中，在压电材料中产生声谐振模式。这些声波被转换成电波以用于电应用中。

一种类型的压电谐振器是体声波(BAW)谐振器。BAW谐振器具有大小较小且适用于集成电路(IC)制造工具及技术的优势。BAW包含声学堆栈。声学堆栈包含安置于两个电极之间的一层压电材料及其它事物。声波可跨越声学堆栈达成谐振，其中波的谐振频率是由声学堆栈中的材料确定。

膜体声谐振器(FBAR)型滤波器是一种类型的BAW滤波器。FBAR技术的特征在于在Q过频率、有效耦合系数kt2及精确频率控制方面的优越性能。这些FBAR性能特性转化成在(低)插入损耗、(令人满意的)滤波器边缘处的滚降特性、(最佳)隔离及(最高)非线性性能方面的优越产品性能。

FBAR包含夹在两个金属电极(即，顶部金属电极与底部金属电极)之间的压电层。FBAR放置于气腔上方，且依赖于气腔封装技术来达成所需的性能特性。因此，位于FBAR下方的气腔必须稳健且决不能干扰谐振器频率定心、Q值或非线性度。

用于FBAR的已知封装可包含放置于FBAR及上述形成于FBAR下方的气腔上方的半导体微型帽盖子。可通过杆将微型帽盖子固持于FBAR上方，所述杆由与微型帽盖子相同的材料形成且与微型帽盖子晶片是一个整体。微型帽盖子是由高电阻率晶片微机械加工而成的晶片级硅帽(微型帽)。

来自微型帽盖子晶片/微型帽盖子的寄生贡献使所封装FBAR产品的线性性能特性降级。寄生贡献由以下因素引起：用于微型帽盖子的半导体材料(例如，硅)的体导电性及表面电容及反相以及半导体陷获状态的充电及放电。对所述寄生贡献的以较低代价提供较高性能的任何解决方案均不应干扰FBAR下方的气腔，也不应对频率定心、Q值或非线性度产生负面影响。

所需的是至少克服上文所描述的已知封装结构的缺点的封装结构。

发明内容

本发明的一方面涉及一种设备，该设备包括：衬底；盖子，其安置于所述衬底上方且包括围绕所述衬底的周边安置的杆，所述杆围住所述盖子与所述衬底之间的腔；电子装置，其安置于所述衬底的上表面上方且在所述腔中；电接触垫；以及电绝缘层，其安置于所述电接触垫与所述盖子的上表面之间。