[发明专利]一种使翅萼石斛种子快速繁殖成苗的培养基及方法在审

专利信息
申请号: 201810871940.6 申请日: 2018-08-02
公开(公告)号: CN109122313A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 仇硕;唐凤鸾;赵健;赵志国;夏科;周浩;蒋庆鸿 申请(专利权)人: 广西壮族自治区中国科学院广西植物研究所
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立;周玉婷
地址: 541006 广西壮族自治*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 培养基 石斛 快速繁殖 成苗 原球茎诱导 原球茎增殖 丛生芽诱导培养基 生根壮苗培养基 植物生物技术 丛生芽诱导 移栽成活率 分株繁殖 生根壮苗 无菌播种 种子萌发 丛生芽 驯化 种苗 移栽 繁殖
【权利要求书】:

1.一种使翅萼石斛种子快速繁殖成苗的培养基,其特征在于,由种子萌发和原球茎诱导培养基、原球茎增殖和丛生芽诱导培养基以及生根壮苗培养基组成,其中,

所述种子萌发和原球茎诱导培养基由MS基本培养基、0.5-2.0mg/L的6-BA、0.1mg/L的NAA和20g/L的蔗糖组成;

所述原球茎增殖和丛生芽诱导培养基由MS基本培养基、1.0-4.0mg/L的6-BA、0.1mg/L的NAA、20g/L的蔗糖和100g/L的马铃薯泥组成;

所述生根壮苗培养基由MS基本培养基、1.0-4.0mg/L的6-BA、0.5mg/L的KT、0.5mg/L的NAA、100g/L的香蕉泥、30g/L的蔗糖和1.0g/L的活性炭组成。

2.根据权利要求1所述的一种使翅萼石斛种子快速繁殖成苗的培养基,其特征在于,所述种子萌发和原球茎诱导培养基、所述原球茎增殖和丛生芽诱导培养基以及所述生根壮苗培养基的pH值均为5.8。

3.一种利用权利要求1或2所述培养基使翅萼石斛种子快速繁殖成苗的方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1:无菌播种及原球茎诱导培养

将成熟未开裂的翅萼石斛蒴果消毒后,取出种子,均匀播种于种子萌发和原球茎诱导培养基中,先进行暗培养,待种子转绿后再进行光培养,待种子萌发后,得到原球茎;

步骤2:原球茎增殖和丛生芽诱导培养

将步骤1得到的原球茎,均匀转接到原球茎增殖和丛生芽诱导培养基中,进行光培养,待原球茎增殖后,诱导得到丛生芽;

步骤3:丛生芽生根壮苗培养

当步骤2得到的丛生芽长出2-3片叶子、高2-3cm时,均匀转接到生根壮苗培养基中,进行光培养,得到生根试管苗;

步骤4:移栽驯化

于春季3-4月,将步骤3得到的生根试管苗,炼苗15-30d天后,洗净根部,移栽到移栽基质中,再置于塑料大棚中,浇水、保湿至成苗、出圃,即得到翅萼石斛种苗。

4.根据权利要求3所述的一种使翅萼石斛种子快速繁殖成苗的方法,其特征在于,步骤1中,所述翅萼石斛蒴果采自广西植物研究所兰花种质圃,为当年人工自交授粉结实的成熟未开裂蒴果。

5.根据权利要求3所述的一种使翅萼石斛种子快速繁殖成苗的方法,其特征在于,步骤1中,所述消毒的具体步骤为:先用洗洁精清洗翅萼石斛蒴果的表面,再用自来水冲洗至少30min,然后用75%v/v酒精浸泡1min,接着用无菌水冲洗1次,再用0.1%的升汞浸泡15-30min,然后用无菌水冲洗至少5次;所述暗培养的温度为25±2℃,时间为20-30d。

6.根据权利要求3所述的一种使翅萼石斛种子快速繁殖成苗的方法,其特征在于,步骤2中,所述原球茎的接种量为每个培养瓶接种150-200个原球茎,所述培养瓶的容量为630mL,每个培养瓶中放有100mL原球茎增殖和丛生芽诱导培养基。

7.根据权利要求3所述的一种使翅萼石斛种子快速繁殖成苗的方法,其特征在于,步骤3中,所述丛生芽的接种量为每个培养瓶接种15-20个丛生芽,所述培养瓶的容量为630mL,每个培养瓶中放有100mL生根壮苗培养基。

8.根据权利要求3所述的一种使翅萼石斛种子快速繁殖成苗的方法,其特征在于,步骤1、步骤2和步骤3中,所述光培养的温度均为25±2℃,光照强度均为1500-2000lux,光周期均为12h/d,光照时间分别为30-50d、45-60d和80-120d。

9.根据权利要求3所述的一种使翅萼石斛种子快速繁殖成苗的方法,其特征在于,步骤4中,所述炼苗的条件为:以散光为主,光照强度为3000-4000lux,温度为15-25℃,湿度为70-80%;所述移栽基质经甲基托布津粉剂600倍稀释液消毒处理,所述移栽基质为水苔。

10.根据权利要求3所述的一种使翅萼石斛种子快速繁殖成苗的方法,其特征在于,步骤4中,所述塑料大棚在夏季用70%遮阳网进行遮阴。

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