[发明专利]一种高质量多晶硅料处理方法

说明书

本发明公开了一种高质量多晶硅料处理方法，具体包括以下步骤：（1）将多晶硅料放置碱槽中；（2）向碱槽中加入氢氧化钠与水，进行碱泡；（3）将经步骤（2）碱泡处理后的多晶硅料放置碱锅中采用高纯度氢氧化钠进行碱煮；（4）步骤（3）碱煮后的多晶硅料依次进行如下操作：采用氢氟酸及硝酸进行中和，漂洗，烘干，包装得到高质量多晶硅料；本发明该方法简单易行，有效去除硅料表面杂质及嵌入在硅料中的杂质，提高硅料质量，同时提高经济效益，变废为宝。

技术领域

本发明涉及一种高质量多晶硅料处理方法，应用于料理工序半自动岗位，用于清洗多晶工序产生的循环料、碎杂料专用方法。

背景技术

多晶硅，是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，多晶硅料是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为微电子大厦的基石；

目前多晶工序生产加工过程中，会产生部分表面凹凸不平，杂质附着严重的循环多晶硅料，以及在破碎或再次处理过程中产生细小、形状不规则的多晶硅料（称其为碎杂料），通过传统处理方式（打磨-酸洗），工人无法处理，常规酸洗无法去除表面附着的杂质，此部分硅料均作为销售处理。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，针对以上现有技术存在的缺点，提出一种高质量多晶硅料处理方法，该方法简单易行，有效去除硅料表面杂质及嵌入在硅料中的杂质，提高硅料质量，同时提高经济效益，变废为宝。

本发明解决以上技术问题的技术方案是：

一种高质量多晶硅料处理方法，具体包括以下步骤：

（1）将多晶硅料放置碱槽中；

（2）向碱槽中加入氢氧化钠与水，进行碱泡；

（3）将经步骤（2）碱泡处理后的多晶硅料放置碱锅中采用99%浓度氢氧化钠进行碱煮；

（4）步骤（3）碱煮后的多晶硅料依次进行如下操作：采用氢氟酸及硝酸进行中和，漂洗，烘干，包装得到高质量多晶硅料。

本发明进一步限定的技术方案为：

前述高质量多晶硅料处理方法中，步骤（1）中多晶硅料为多晶工序中产生的表面凹凸不平，杂质附着严重的循环多晶硅料，以及在破碎或再次处理过程中产生细小、形状不规则的多晶硅料。

前述高质量多晶硅料处理方法中，步骤（2）中氢氧化钠的浓度为3-15%。

技术效果，控制氢氧化钠的浓度区别，可以方便根据多晶硅料表面处理难易程度进行合适的选择，方便最有效最佳的去除杂质。

前述高质量多晶硅料处理方法中，步骤（2）中硅料与氢氧化钠反应，反应诱导温度控制在30-50度。

前述高质量多晶硅料处理方法中，步骤（2）中碱泡时间为6-8h。

前述高质量多晶硅料处理方法中，步骤（2）碱泡时，根据自然界温度变化，在冬天的环境下开启加热装置加速反应。

前述高质量多晶硅料处理方法中，经步骤（2）碱泡后多晶硅料表面腐蚀深度为1微微米。

前述高质量多晶硅料处理方法中，步骤（3）进行碱煮时控制时间为3-4min。

前述高质量多晶硅料处理方法中，步骤（3）碱煮后多晶硅料表面腐蚀深度为2.5微微米。

前述高质量多晶硅料处理方法中，步骤（4）中和时采用的氢氟酸及硝酸按体积比计氢氟酸：硝酸=1：5。

本发明的有益效果是：