[发明专利]一种高质量多晶硅料处理方法在审
申请号: | 201810868734.X | 申请日: | 2018-08-02 |
公开(公告)号: | CN108910891A | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 姚翠云;路景刚;黄振华 | 申请(专利权)人: | 镇江环太硅科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 212200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶硅料 硅料 氢氧化钠 碱槽 碱泡 碱煮 表面杂质 漂洗 硝酸 高纯度 氢氟酸 烘干 碱锅 去除 嵌入 中和 | ||
1.一种高质量多晶硅料处理方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
(1)将多晶硅料放置碱槽中;
(2)向碱槽中加入氢氧化钠与水,进行碱泡;
(3)将经步骤(2)碱泡处理后的多晶硅料放置碱锅中采用99%浓度氢氧化钠进行碱煮;
(4)步骤(3)碱煮后的多晶硅料依次进行如下操作:采用氢氟酸及硝酸进行中和,漂洗,烘干,包装得到高质量多晶硅料。
2.根据权利要求1所述的高质量多晶硅料处理方法,其特征在于:步骤(1)中所述的多晶硅料为多晶工序中产生的表面凹凸不平,杂质附着严重的循环多晶硅料,以及在破碎或再次处理过程中产生细小、形状不规则的多晶硅料。
3.根据权利要求1所述的高质量多晶硅料处理方法,其特征在于:步骤(2)中所述氢氧化钠的浓度为3-15%。
4.根据权利要求1所述的高质量多晶硅料处理方法,其特征在于:步骤(2)中硅料与氢氧化钠反应,反应诱导温度控制在30-50度。
5.根据权利要求1所述的高质量多晶硅料处理方法,其特征在于:步骤(2)中碱泡时间为6-8h。
6.根据权利要求1所述的高质量多晶硅料处理方法,其特征在于:步骤(2)碱泡时,根据自然界温度变化,在冬天的环境下开启加热装置加速反应。
7.根据权利要求1所述的高质量多晶硅料处理方法,其特征在于:经步骤(2)碱泡后多晶硅料表面腐蚀深度为1微微米。
8.根据权利要求1所述的高质量多晶硅料处理方法,其特征在于:步骤(3)进行碱煮时控制时间为3-4min。
9.根据权利要求1所述的高质量多晶硅料处理方法,其特征在于:步骤(3)碱煮后多晶硅料表面腐蚀深度为2.5微微米。
10.根据权利要求1所述的高质量多晶硅料处理方法,其特征在于:步骤(4)中和时采用的氢氟酸及硝酸按体积比计氢氟酸:硝酸=1:5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于镇江环太硅科技有限公司,未经镇江环太硅科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810868734.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。