[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基板，所述半导体基板包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且在半导体基板之上形成有布置在所述第一表面中的第一导电类型的源极区域、布置在所述第二表面中的第一导电类型的漏极区域、布置在第一源极侧的漏极区域中的第一导电类型的漂移区域，以及夹在所述源极区域和所述漂移区域之间的第二导电类型的体区域，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

栅极电极；以及

第一接触插塞，

其中，在所述第一表面中设置第一沟槽，所述第一沟槽朝着所述第二表面延伸以到达所述漂移区域，并且所述第一沟槽中埋有栅极电极，

其中，所述第一表面包括其中布置有所述源极区域的有效区域和围绕所述有效区域的外围区域，

其中，当在平面图中看时，所述第一沟槽沿着从所述外围区域朝着所述有效区域的第一方向从所述外围区域起在所述有效区域上延伸，

其中，所述栅极电极包括与夹在所述源极区域和所述漂移区域之间的体区域相对并且与之绝缘的部分，以及

其中，所述第一接触插塞在所述外围区域中电耦接到埋在所述第一沟槽中的所述栅极电极，使得当在平面图中看时所述第一接触插塞的较长边沿着第一方向。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

其中，在所述外围区域中的所述第一沟槽包括扩展宽度部分，以及

其中，在垂直于所述第一方向的第二方向上的所述扩展宽度部分的宽度大于在所述第二方向上的所述有效区域中的所述第一沟槽的宽度。

3.如权利要求2所述的半导体装置，

其中，在所述外围区域中的所述第一沟槽包括锥形部分，所述锥形部分连续地接合所述扩展宽度部分的在有效区域侧的边缘，以及

其中，所述锥形部分在第二方向上的宽度从外围区域侧朝着有效区域侧变小。

4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

第二接触插塞；以及

第三接触插塞，

其中，在所述第一表面中设置第二沟槽、第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽，所述第二沟槽、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽朝着所述第二表面延伸以到达所述漂移区域，并且在所述第二沟槽、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽中的每个沟槽中埋有栅极电极，

其中所述第二沟槽和所述第三沟槽沿着第一方向从所述外围区域起在所述有效区域上延伸，

其中，在所述外围区域中，所述第四沟槽和所述第五沟槽沿着垂直于第一方向的第二方向延伸，

其中，所述第二沟槽和所述第三沟槽中的每个沟槽布置成与所述第一沟槽相邻但隔开，

其中，所述第四沟槽在所述外围区域中耦接到所述第一沟槽和所述第二沟槽，

其中，所述第五沟槽在所述外围区域中耦接到所述第一沟槽和所述第三沟槽，所述第五沟槽比所述第四沟槽更靠近有效区域侧，

其中，在所述外围区域中，第二接触插塞电耦接到埋在所述第二沟槽中的栅极电极，使得当在平面图中看时，所述第二接触插塞的较长边沿着第一方向，以及

其中，在所述外围区域中，第三接触插塞电耦接到埋在所述第三沟槽中的栅极电极，使得当在平面图中看时，所述第三接触插塞的长边沿着第一方向。

5.如权利要求4所述的半导体装置，还包括从所述体区域朝着所述第二表面延伸的第二导电类型的多个列区域，

其中，当在平面图中看时，列区域以交错的方式布置，彼此隔开，以及

其中，所述第一沟槽、所述第二沟槽、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽被布置成当在平面图中看时穿过所述列区域。

6.如权利要求4所述的半导体装置，还包括第四接触插塞，

其中，所述第四接触插塞电耦接到埋在所述第四沟槽中的栅极电极。

7.如权利要求6所述的半导体装置，还包括第五接触插塞，

其中，所述第五接触插塞电耦接到埋在所述第五沟槽中的栅极电极。