[发明专利]一种晶硅太阳能PERC电池用的石墨舟及其饱和工艺在审
申请号: | 201810865400.7 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN109244019A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 张欣;林纲正;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨舟 饱和 电池用 种晶 太阳能 机台 表面平整 钝化薄膜 钝化工艺 降低摩擦 耐腐蚀性 耐磨性能 使用寿命 均匀性 碎片率 产能 划伤 笑气 腐蚀 保证 | ||
本发明公开一种晶硅太阳能PERC电池用的石墨舟及其饱和工艺,所述石墨舟包括石墨舟本体,在所述石墨舟本体的全部表面上镀有SiC膜。本发明石墨舟饱和工艺中在石墨舟上镀SiC膜,SiC膜具有良好的耐腐蚀性,因此,在背钝化工艺中不会被笑气腐蚀,可使石墨舟表面平整,不但起到了保护石墨舟的作用,延长了石墨舟的使用寿命,而且保证了背钝化薄膜的均匀性,降低了碎片率。同时,由于SiC薄膜具有优异的耐磨性能,可降低摩擦带来的EL划伤,并使后续的饱和工艺时间大大缩短,从而提高了机台的产能。
技术领域
本发明属于晶硅太阳能电池技术,尤其涉及一种晶硅太阳能PERC电池用的石墨舟,还涉及该石墨舟的饱和工艺。
背景技术
为了提升晶硅电池片的减反射和表面钝化效果,通常会在硅片表面制备氮化硅薄膜,而石墨舟的表面状态对管式PECVD方法制备的氮化硅均匀沉积有着重要的影响。清洗后的石墨舟导电性能明显优于硅片的导电性能,因此石墨舟和硅片在镀膜过程中存在着明显的竞争,导致石墨舟与硅片接触的区域沉积速率低,形成严重的色差,以致电池片外观不良和电学性能较差,因而必须对石墨舟进行氮化硅饱和处理,使石墨舟与硅片具有相近的导电性。
但是,氮化硅饱和的石墨舟存在着表面平滑性和致密性均较差的缺点。随着PERC技术的大规模应用,氮化硅饱和的石墨舟在制备背钝化薄膜过程中容易对硅片正面造成EL划伤。而且,由于背钝化工艺中需要使用笑气,会腐蚀氮化硅膜,造成石墨舟表面不平整,不但影响了石墨舟的使用寿命和背钝化薄膜的质量,而且也增加了制程的碎片率。
发明内容
本发明的第一个目的在于提供一种可保证背钝化薄膜的均匀性、降低碎片率、延长石墨舟的使用寿命、减少EL划伤、提高生产效率的晶硅太阳能PERC电池用的石墨舟。
本发明的第一个目的通过如下的技术方案来实现:一种晶硅太阳能PERC电池用的石墨舟,包括石墨舟本体,其特征在于:在所述石墨舟本体的全部表面上镀有SiC膜。
本发明石墨舟饱和工艺中在石墨舟上镀SiC膜,SiC膜具有良好的耐腐蚀性,因此,在背钝化工艺中不会被笑气腐蚀,可使石墨舟表面平整,不但起到了保护石墨舟的作用,延长了石墨舟的使用寿命,而且保证了背钝化薄膜的均匀性,降低了碎片率。同时,由于SiC薄膜具有优异的耐磨性能,可降低摩擦带来的EL划伤,并使后续的饱和工艺(当石墨舟再次清洗需要饱和时)时间大大缩短(可缩短多达120min),从而提高了机台的产能。
作为本发明的优选实施方式,所述SiC膜的厚度是300~1200nm。
本发明的第二个目的在于提供一种上述晶硅太阳能PERC电池用的石墨舟的饱和工艺。
本发明的第二个目的通过如下的技术方案来实现:一种上述晶硅太阳能PERC电池用的石墨舟的饱和工艺,其特征在于具体包括以下步骤:
⑴将石墨舟本体放入炉管并抽真空;
⑵设定炉管的沉积温度;
⑶达到沉积温度后,对石墨舟本体进行放电预处理;
⑷放电预处理完成后,向炉管内通入CH4和SiH4,对石墨舟本体进行镀膜;
⑸将完成镀膜的石墨舟从炉管取出冷却,即得所述晶硅太阳能PERC电池用的石墨舟。
作为本发明的一种实施方式,所述沉积温度为400~500℃。
作为本发明的一种实施方式,在所述步骤⑶中,使用NH3,流量3~6slm,炉管压强为1000~2000mtorr,射频电源功率为4000~8000W,放电预处理3~10min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造