[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，基底上具有鳍部，鳍部包括若干层沿基底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层之间的第二鳍部层；

形成横跨鳍部的伪栅极结构，伪栅极结构覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；

形成伪栅极结构后，在伪栅极结构两侧的鳍部内分别形成第一凹槽和第二凹槽；

去除所述第一凹槽侧壁的部分第二鳍部层，在相邻两层第一鳍部层之间形成第一鳍部凹槽；

去除所述第二凹槽侧壁的部分第二鳍部层，在相邻第一鳍部层之间形成第二鳍部凹槽，所述第一鳍部凹槽沿鳍部延伸方向的尺寸大于第二鳍部凹槽沿鳍部延伸方向的尺寸；

在第一鳍部凹槽内形成第一隔离层，第一隔离层侧壁与第一凹槽暴露出的第一鳍部层侧壁齐平；

在第二鳍部凹槽内形成第二隔离层，第一隔离层侧壁与第二凹槽暴露出的第一鳍部层侧壁齐平；

形成所述第一隔离层后，在所述第一凹槽内形成漏端掺杂层；

形成所述第二隔离层后，在所述第二凹槽内形成源端掺杂层；

其中，所述第一鳍部凹槽和第二鳍部凹槽的形成方法包括：对所述第一凹槽暴露出的鳍部进行离子掺杂，在第一凹槽侧壁的鳍部内形成离子掺杂区；形成离子掺杂区后，去除所述第一凹槽暴露出的第二鳍部层内的离子掺杂区和第二凹槽暴露出的部分第二鳍部层，在第一凹槽侧壁形成第一鳍部凹槽，在第二凹槽侧壁形成第二鳍部凹槽。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二鳍部凹槽沿鳍部延伸方向的尺寸与第一鳍部凹槽沿鳍部延伸方向的尺寸比为1:4～5:6。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述第一凹槽暴露出的第二鳍部层内的离子掺杂区和第二凹槽暴露出的部分第二鳍部层的工艺为刻蚀工艺，所述刻蚀工艺对离子掺杂区的刻蚀速率大于对第二鳍部层的刻蚀速率。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂的工艺为离子注入工艺。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子注入的注入离子为硅离子或者碳离子。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一鳍部凹槽后，形成所述第二鳍部凹槽。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二鳍部凹槽后，形成所述第一鳍部凹槽。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部凹槽的形成方法包括：刻蚀去除第一凹槽暴露出的部分第二鳍部层，使得第一凹槽侧壁的第二鳍部层相对于第一鳍部层向内凹陷，在第一鳍部层之间形成第一鳍部凹槽。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二鳍部凹槽的形成方法包括：刻蚀去除第二凹槽暴露出的部分第二鳍部层，使得第二凹槽侧壁的第二鳍部层相对于第一鳍部层向内凹陷，在第一鳍部层之间形成第二鳍部凹槽，刻蚀去除第二凹槽暴露出的部分第二鳍部层的时间小于刻蚀去除第一凹槽暴露出的部分第二鳍部层的时间。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第一隔离层的过程中形成所述第二隔离层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，第一隔离层和第二隔离层的形成方法包括：在所述第一凹槽、第二凹槽、第一鳍部凹槽和第二鳍部凹槽内形成初始隔离层；回刻蚀所述初始隔离层，直至暴露出以所述第一凹槽和第二凹槽底部表面；回刻蚀所述初始隔离层后，以所述伪栅极结构为掩膜刻蚀所述初始隔离层直至暴露出伪栅极结构侧壁表面，在第一鳍部凹槽内形成所述第一隔离层，在第二鳍部凹槽内形成所述第二隔离层。