[发明专利]恢复过抹除记忆胞的快闪存储器装置及其方法

说明书

本发明提供一种能够快速恢复过抹除记忆胞，并且可防止对没有被过抹除的正常记忆胞产生不利影响的快闪存储器装置以及方法。快闪存储器装置包括存储器阵列以及耦接至存储器阵列的存储器控制器。存储器控制器用以在快闪存储器装置中选择包括过抹除记忆胞的存储器区块，其中选择存储器区块包括共用基极线以及共用源极线。存储器控制器还用以提供负电压到选择存储器区块的共用基极线以及共用源极线。并且，存储器控制器还用以提供负电压到选择存储器区块的共用基极线以及共用源极线。

技术领域

本发明涉及快闪存储器装置，尤其涉及能够快速恢复过抹除记忆胞，并且可防止对没有被过抹除的正常记忆胞产生不利影响的快闪存储器装置以及方法。

背景技术

现今快闪存储器装置被广泛应用于各种电子设备，数字相机、智能手机等。为了满足市场需求，快闪存储器装置则有体积小，容量大的设计需求，以进一步达到存取速度快、功耗低以及可靠性高等性能要求。

快闪存储器装置以存储器区块(抹除区块单元)为单位执行抹除操作(如，4K、32K或64K字节区块)以抹除写入到快闪存储器装置的数据。用于抹除操作的典型操作流程包括预编程操作、擦除操作、后编程操作以及刷新操作等操作流程。预编程操作是用以将“0”写入抹除区块的记忆胞。抹除操作是用以将“1”写入抹除区块的记忆胞。后编程操作是用以在执行抹除操作之后恢复过抹除记忆胞。刷新操作则是用以将“0”写入抹除区块中的数据“0”。

常规的后编程操作是在后编程操作的期间对耦接至过抹除记忆胞的位元线提供漏极电压。然而，由于位元线被多个没有被过擦除的记忆胞共享，因此常规的后编程操作将影响到未被过抹除的记忆胞。此外，常规的后编程操作是根据位元线来执行的，故会需要花费较长的时间来完成。因此，随着快闪存储器的普及，寻求能够快速恢复过抹除记忆胞，并可防止对没有被过抹除的正常记忆胞产生不利影响的快闪存储器装置以及方法，是被期望的。

发明内容

本发明提供一种适用于快速恢复过抹除记忆胞并且防止对没有被过抹除的正常记忆胞产生不利影响的快闪存储器装置以及方法。快闪存储器装置包括存储器阵列以及耦接于存储器阵列的存储器控制器。存储器控制器用以在快闪存储器装置中选择包括过抹除记忆胞的存储器区块，其中选择存储器区块包括共用基极线以及共用源极线。存储器控制器还用以提供负电压到选择存储器区块的共用基极线以及共用源极线。并且，存储器控制器还用以提供正电压到耦接至选择存储器区块中至少一过抹除记忆胞的字元线。

本发明的使用福勒诺汉后编程操作以恢复快闪存储器装置的过抹除记忆胞的方法，包括：在快闪存储器装置中选择包括过抹除记忆胞的选择存储器区块，其中选择存储器区块包括共用基极线以及共用源极线；提供负电压到选择存储器区块的共用基极线以及共用源极线；以及提供正电压到耦接于选择存储器区块的过抹除记忆胞的字线。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依据本发明一实施例所示出的快闪存储器装置的示意图。

图2是依据本发明一实施例所示出的存储器阵列的结构示意图。

图3是依据本发明一实施例所示出的三井结构示意图。

图4是依据本发明一实施例所示出的用于恢复过抹除记忆胞的方法流程图。

【符号说明】

100：快闪存储器装置

110、210：存储器阵列

1101～110n：实体记忆胞阵列

120：存储器控制器

310：P型井

320：N型井

321：深N型井