[发明专利]恢复过抹除记忆胞的快闪存储器装置及其方法有效
| 申请号： | 201810861892.2 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109767800B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 河壬喆 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 恢复 记忆 闪存 装置 及其 方法 | ||
1.一种使用福勒诺汉后编程操作以恢复快闪存储器装置的过抹除记忆胞的方法，包括：
在所述快闪存储器装置中选择包括所述过抹除记忆胞的选择存储器区块，其中所述选择存储器区块包括共用基极线以及共用源极线；
提供负电压到所述选择存储器区块的所述共用基极线、所述共用源极线以及未耦接于所述选择存储器区块的所述过抹除记忆胞的字线；
浮接耦接于所述选择存储器区块的所述记忆胞的位元线；以及
提供正电压到耦接于所述选择存储器区块的所述过抹除记忆胞的字线。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述快闪存储器装置的记忆胞是形成于三井结构中。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择存储器区块具有与所述快闪存储器装置中执行抹除操作的抹除区块相同的大小。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述负电压的绝对值等于所述正电压的绝对值。
5.根据权利要求1所述的方法，其中对所述选择存储器区块执行所述福勒诺汉后编程操作的时间长度是依据所述选择存储器区块的所述过抹除记忆胞的门槛电压电平来决定。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述快闪存储器装置的所述记忆胞的各一包括耦接至所述共用基极线的基极端，耦接至所述共用源极线的源极端，耦接至位元线的漏极端以及耦接至所述字线的栅极端。
7.一种快闪存储器装置，包括：
存储器阵列，具有多个记忆胞；以及
存储器控制器，耦接至所述存储器阵列，所述存储器控制器用以：
在所述快闪存储器装置中选择包括过抹除记忆胞的选择存储器区块，其中所述选择存储器区块包括共用基极线以及共用源极线；
提供负电压到所述选择存储器区块的所述共用基极线、所述共用源极线以及未耦接于所述选择存储器区块的所述过抹除记忆胞的字线；
浮接耦接于所述选择存储器区块的所述记忆胞的位元线；以及
提供正电压到耦接于所述选择存储器区块的所述过抹除记忆胞的字线。
8.根据权利要求7所述的快闪存储器装置，其中所述快闪存储器装置的记忆胞是形成于三井结构中。
9.根据权利要求7所述的快闪存储器装置，其中所述选择存储器区块具有与所述快闪存储器装置中执行抹除操作的抹除区块相同的大小。
10.根据权利要求7所述的快闪存储器装置，其中所述负电压的绝对值等于所述正电压的绝对值。
11.根据权利要求7所述的快闪存储器装置，其中对所述选择存储器区块执行福勒诺汉后编程操作的时间长度是依据所述选择存储器区块的所述过抹除记忆胞的门槛电压电平来决定。
12.根据权利要求7所述的快闪存储器装置，其中所述快闪存储器装置的所述记忆胞的各一包括耦接至所述共用基极线的基极端，耦接至所述共用源极线的源极端，耦接至位元线的漏极端以及耦接至所述字线的栅极端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810861892.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
