[发明专利]一种射频功率放大器偏置电路

说明书

本申请提供了一种射频功率放大器偏置电路，包括：基准电路模块、镜像电路模块、镇流电阻以及电流调整电路模块，其中，所述基准电路模块用于为所述镜像电路模块提供基准电压；所述镜像电路模块用于根据所述基准电压生成第一电流和第二电流；所述电流调整电路模块用于将所述第一电流调整为第三电流，以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流；所述第四电流通过所述镇流电阻，为射频放大晶体管Q1提供偏置。该偏置电路通过镜像电路模块与电流调整模块的调整，偏置电流随偏置电压Vref变化的变化量相比传统电路中的变化量大大减小，降低了对射频功率放大器的性能指标的影响。

技术领域

本申请涉及无线通讯技术领域，尤其涉及一种射频功率放大器偏置电路。

背景技术

射频功率放大器广泛应用在各种无线通讯设备终端与系统中，它用于将调制好的射频信号进行放大，并将其传输给天线发射出去。射频功率放大器的工作状态由偏置电路决定，偏置电路的好坏很大程度上决定了射频功率放大器的性能指标。

在传统的射频功率放大器偏置电路中，如图1所示，常采用两个二极管D1、D2串联产生一个基准电压，D1、D2通常由接成二极管形式的三极管实现，Q2与D2形成镜像结构，Q2镜像产生的电流通过R2给射频晶体管Q1提供偏置电流，C1为射频放大晶体管Q1的射频输入电容，L1为射频放大晶体管Q1的chock电感。

虽然这种偏置电路简单，但其对偏置电压Vref的变化非常敏感，假设偏置电压Vref从2.6V变化到2.9V，那么射频晶体管Q1的偏置电流ICQ的相对变化量将超过60％，从而严重影响射频功率放大器的性能指标。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种射频功率放大器偏置电路，以解决现有中的偏置电路对偏置电压Vref的变化非常敏感，严重影响射频功率放大器的性能指标的问题。

为实现上述目的，本申请提供了以下技术方案：

一种射频功率放大器偏置电路，包括：基准电路模块、镜像电路模块、镇流电阻以及电流调整电路模块，其中，

所述基准电路模块用于为所述镜像电路模块提供基准电压；

所述镜像电路模块用于根据所述基准电压生成第一电流和第二电流；

所述电流调整电路模块用于将所述第一电流调整为第三电流，以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流；

所述第四电流通过所述镇流电阻，为射频放大晶体管Q1提供偏置。

优选的，所述镜像电路模块包括：第一三极管Q2和第二三极管Q3，其中，

所述第一三极管Q2的基极与所述基准电路模块的输出端相连，所述第一三极管Q2的集电极与电源电压VBAT相连，所述第一三极管Q2的发射极与所述电流调整电路模块的输入端相连；

所述第二三极管Q3的基极与所述基准电路模块的输出端相连，所述第二三极管Q3的集电极与电源电压VBAT相连，所述第二三极管Q3的发射极分别与所述电流调整电路模块的输出端以及镇流电阻远离所述射频放大晶体管Q1的一端相连。

优选的，所述电流调整电路模块包括：第三三极管Q4和第一电阻R1，其中，

所述第三三极管Q4的基极与所述第一三极管Q2的发射极相连，所述第三三极管Q4的集电极通过所述第一电阻R1与所述第二三极管Q3的发射极相连，所述第三三极管Q4的发射极接地。

优选的，所述电流调整电路模块还包括：第二电阻R2，其中，

所述第二电阻R2的一端同时与所述第一三极管Q2的发射极、所述第三三极管Q4的基极相连，所述第二电阻R2的另一端接地。

优选的，所述基准电路模块包括：第三电阻R3、第四三极管D1、第五三极管D2和第二电容C2，其中，