[发明专利]一种射频功率放大器偏置电路有效
| 申请号: | 201810861529.0 | 申请日: | 2018-08-01 |
| 公开(公告)号: | CN109150115B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
| 发明(设计)人: | 彭凤雄;钱永学;孟浩;杨清华;何世海;李东岳 | 申请(专利权)人: | 北京昂瑞微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/30;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
| 地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 射频 功率放大器 偏置 电路 | ||
1.一种射频功率放大器偏置电路,其特征在于,包括:基准电路模块、镜像电路模块、镇流电阻以及电流调整电路模块,其中,
所述基准电路模块用于为所述镜像电路模块提供基准电压;
所述镜像电路模块用于根据所述基准电压生成第一电流和第二电流;
所述电流调整电路模块用于将所述第一电流调整为第三电流,以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流;
所述第四电流通过所述镇流电阻,为射频放大晶体管Q1提供偏置;
其中,所述镜像电路模块包括:第一三极管Q2和第二三极管Q3,其中,
所述第一三极管Q2的基极与所述基准电路模块的输出端相连,所述第一三极管Q2的集电极与电源电压Vbat相连,所述第一三极管Q2的发射极与所述电流调整电路模块的输入端相连;
所述第二三极管Q3的基极与所述基准电路模块的输出端相连,所述第二三极管Q3的集电极与电源电压Vbat相连,所述第二三极管Q3的发射极分别与所述电流调整电路模块的输出端以及镇流电阻远离所述射频放大晶体管Q1的一端相连;
所述电流调整电路模块包括:第三三极管Q4和第一电阻R1,其中,
所述第三三极管Q4的基极与所述第一三极管Q2的发射极相连并接地,所述第三三极管Q4的集电极通过所述第一电阻R1与所述第二三极管Q3的发射极相连,所述第三三极管Q4的发射极接地。
2.根据权利要求1所述的偏置电路,其特征在于,所述电流调整电路模块还包括:第二电阻R2,其中,
所述第二电阻R2的一端同时与所述第一三极管Q2的发射极、所述第三三极管Q4的基极相连,所述第二电阻R2的另一端接地。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的偏置电路,其特征在于,所述基准电路模块包括:第三电阻R3、第四三极管D1、第五三极管D2和第二电容C2,其中,
所述第五三极管D2的基极作为所述基准电路模块的输出端与所述镜像电路模块的输入端相连,同时,通过所述第三电阻R3与偏置电压Vref相连,并通过所述第二电容C2接地;所述第五三极管D2的集电极与所述第五三极管D2的基极相连;所述第五三极管D2的发射极同时与所述第四三极管D1的集电极和基极相连;
所述第四三极管D1的发射极接地。
4.根据权利要求1-2任意一项所述的偏置电路,其特征在于,所述基准电路模块包括:第四电阻R4、第六三极管Q5、第三电容C3和第五电阻R5,其中,
所述第六三极管Q5的集电极作为所述基准电路模块的输出端与所述镜像电路模块的输入端相连,同时,通过所述第四电阻R4与偏置电压Vref相连,并通过所述第三电容C3接地;所述第六三极管Q5的基极通过所述第五电阻R5与所述镇流电阻远离所述射频放大晶体管Q1的一端相连;所述第六三极管Q5的发射极接地。
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