[发明专利]铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置

说明书

一种铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置。铁电薄膜晶体管，包括：基板；设置在基板上的底电极层；设置在底电极层背向基板一侧上的铁电层，铁电层的材料为具有非易失铁电极化的材料；设置在铁电层背向基板一侧上的半导体沟道层；设置在半导体沟道层背向基板一侧上的源电极和漏电极；漏电极用于与发光元件的输入端相连；源电极用于与电源信号线相连；底电极层用于与控制信号线相连；驱动电路简单。通过向底电极层施加电压调节铁电层的极化状态，进而通过铁电层的极化状态调控半导体沟道层中的载流子的浓度和电阻，改变流过OLED的电流大小，实现OLED串联分压的连续调制和不同灰阶的OLED显示，控制方式简单。

技术领域

本发明涉及半导体及电子电路技术领域，具体涉及一种非易失铁电调控的铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置。

背景技术

有机发光显示装置(Organic Light-Emitting Display，OLED)因具有自发光，广视角，高色域，高对比度，低功耗等特点而受到广泛重视。

OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED属于主动显示类型，通常用作高清晰度的显示装置。AMOLED是电流驱动器件。当有电流流过有机发光二极管时，该二极管发光，且发光亮度由流过的电流大小决定。

图1为现有技术中AMOLED的驱动电路的结构示意图，如图1所示，现有AMOLED的驱动电路包含一个开关薄膜晶体管SW-TFT、一个驱动薄膜晶体管DR-TFT和一个存储电容Cst(2T1C)，SW-TFT的栅极连接到扫描信号电压Gate Line上，源极连接到数据信号电压DataLine上，漏极连接到DR-TFT的栅极和存储电容Cst的一端；DR-TFT的源极连接到电源电压VDD上，漏极连接到有机发光二极管OLED的阳极；有机发光二极管的阴极接地VSS；存储电容Cst的一端连接SW-TFT的漏极，另一端连接DR-TFT的漏极。通过Gate Line控制开关薄膜晶体管SW-TFT的导通与关闭。当SW-TFT导通时，数据信号Data Line传输至驱动薄膜晶体管DR-TFT的栅极，电源信号VDD通过DR-TFT向低电位VSS一端传输，控制流过DR-TFT的电流的大小，使有机发光二极管OLED发出不同亮度的光。可以发现，在整个显示区域中，每个子像素至少需要两个薄膜晶体管和一个存储电容进行驱动，使得驱动电路比较复杂。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种非易失铁电调控的铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置，以实现简化像素的驱动电路。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种铁电薄膜晶体管，包括：

基板；

设置在基板上的底电极层；

设置在所述底电极层背向基板一侧上的铁电层，所述铁电层的材料为具有非易失铁电极化的材料；

设置在所述铁电层背向基板一侧上的半导体沟道层；

设置在所述半导体沟道层背向基板一侧上的源电极和漏电极；

所述漏电极用于与发光元件的输入端相连；

所述源电极用于与电源信号线相连；

所述底电极层用于与控制信号线相连。

优选的，上述铁电薄膜晶体管中，所述铁电层的材质为具有非易失铁电极化的材料。

优选的，上述铁电薄膜晶体管中，铁电层的材质为铁酸铋、钛酸钡、锆钛酸铅、铌酸钾钠、磷酸二氢钾。

优选的，上述铁电薄膜晶体管中，所述半导体沟道层的材质为电子型或空穴型半导体材料。