[发明专利]铁电薄膜晶体管、有机发光阵列基板驱动电路和显示装置有效
申请号: | 201810861528.6 | 申请日: | 2018-08-01 |
公开(公告)号: | CN109004031B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 刘川川;苏同上;殷月伟;李晓光 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/786;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 有机 发光 阵列 驱动 电路 显示装置 | ||
1.一种基于铁电薄膜晶体管的有机发光阵列基板灰阶连续调制方法,其特征在于,
所述铁电薄膜晶体管包括:
基板;
设置在基板上的底电极层;
设置在所述底电极层背向基板一侧上的铁电层,具有非易失铁电极化的材料具体为铁酸铋;
设置在所述铁电层背向基板一侧上的半导体沟道层;
设置在所述半导体沟道层背向基板一侧上的源电极和漏电极;
所述有机发光阵列基板包括:
输入端与所述铁电薄膜晶体管的漏电极相连、输出端接地的OLED发光元件;
通过电源信号线与所述铁电薄膜晶体管的源电极相连的电源;
通过控制信号线与所述铁电薄膜晶体管的底电极层相连的脉冲信号输出电路;
在控制信号线不同脉冲信号驱使下,通过控制所述铁电层的极化程度,使得所述半导体沟道层保持在不同的阻态,从而改变半导体沟道层对OLED的分压值,改变流过OLED的电流大小,实现OLED串联分压的连续调制和不同灰阶的OLED显示。
2.根据权利要求1所述的灰阶连续调制方法,其特征在于,所述半导体沟道层的材质为电子型或空穴型半导体材料,具体为氧化锌、铟镓锌氧化物、氧化钛或碲化锌。
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