[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，所述薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、第一金属层、有源层、第二金属层、钝化层，栅极设于衬底上，栅绝缘层覆盖所述栅极，第一金属层包括间隔设置于栅绝缘层上的第一电极和第二电极，第二金属层包括间隔设置的源极和漏极，有源层的一端夹设于第一电极与源极之间，有源层的另一端夹设于第二电极与漏极之间，钝化层覆盖于源极、漏极、有源层裸露的表面，通过将有源层夹设于第一金属层与第二金属层之间，提升了有源层与第二金属层之间的接触性能。本发明的制备方法中第一金属层与第二金属层通过两次构图工艺形成，从而避免了出现倒切角。

技术领域

本发明涉及阵列基板制造技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器(TFTAMLCD)以其高信息量、多灰度级及能实现彩色视频显示成为目前信息显示领域的主导技术和研究开发的热点。随着TFTAMLCD向大面积、高清晰度的发展，对金属电极材料的要求也越来越高。一方面，要求金属电极的电阻要低，以减小信号延迟所引起的图像失真；另一方面，金属薄膜的热稳定性和附着性要更好。因此，制备电阻率低、热稳定性和附着性好的金属薄膜与线路便成为研究开发的重点。

在现有的TFT中，为了改善TFT电极的接触性能，TFT电极通常采用多层金属结构，如图1所示，其中，TFT电极包括第一金属层4和第二金属层6，第一金属层4与有源层5接触。在现有的TFT制备工艺中，先在有源层5上沉积黏附性良好的第一金属材料层、第二金属材料层，然后经光刻工艺进行蚀刻，异种金属处于同一蚀刻液中且彼此接触或通过其他导体连同，由于腐蚀电位不同，将会造成第一金属材料层、第二金属材料层接触部位的局部腐蚀即电偶腐蚀(galvanic corrosion)现象，出现倒切角，如图1中虚线框所示，倒切角的出现易造成后续钝化膜断层、TFT电性不稳定等异常，甚至降低产品良率。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，能够提升有源层与第二金属层之间的接触性能，避免出现倒切角，改善薄膜晶体管的电学性能。

本发明提出的具体技术方案为：提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、第一金属层、有源层、第二金属层、钝化层，所述栅极设于所述衬底上，所述栅绝缘层覆盖所述栅极，所述第一金属层包括间隔设置于所述栅绝缘层上的第一电极和第二电极，所述第二金属层包括间隔设置的源极和漏极，所述有源层的一端夹设于所述第一电极与所述源极之间，所述有源层的另一端夹设于所述第二电极与所述漏极之间，所述钝化层覆盖于所述源极、漏极、有源层裸露的表面。

进一步地，所述源极与所述第一电极接触，所述漏极与所述第二电极接触。

进一步地，所述第一金属层与所述栅绝缘层的黏附性大于所述第二金属层与所述栅绝缘性的黏附性。

进一步地，所述第二金属层的材质为铜。

进一步地，所述第一金属层的材质选自钼、铬、钛中的一种。

本发明还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括如上任一所述的薄膜晶体管。

本发明还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，所述制备方法包括步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成栅极和栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极；

在所述栅绝缘层上形成第一金属层，所述第一金属层包括间隔设置于所述栅绝缘层上的第一电极和第二电极；

在所述第一金属层上形成有源层、第二金属层，所述第二金属层包括间隔设置的源极和漏极，所述有源层的一端夹设于所述第一电极与所述源极之间，所述有源层的另一端夹设于所述第二电极与所述漏极之间；

沉积钝化层，所述钝化层覆盖于所述源极、漏极、有源层裸露的表面。