[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、栅极、栅绝缘层、第一金属层、有源层、第二金属层、钝化层，所述栅极设于所述衬底上，所述栅绝缘层覆盖所述栅极，所述第一金属层包括间隔设置于所述栅绝缘层上的第一电极和第二电极，所述第二金属层包括间隔设置的源极和漏极，所述有源层的一端夹设于所述第一电极与所述源极之间，所述有源层的另一端夹设于所述第二电极与所述漏极之间，所述钝化层覆盖于所述源极、漏极、有源层裸露的表面。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述第一电极接触，所述漏极与所述第二电极接触。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属层与所述栅绝缘层的黏附性大于所述第二金属层与所述栅绝缘性的黏附性。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属层的材质为铜。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属层的材质选自钼、铬、钛中的一种。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-4任一所述的薄膜晶体管。

7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上形成栅极和栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极；

在所述栅绝缘层上形成第一金属层，所述第一金属层包括间隔设置于所述栅绝缘层上的第一电极和第二电极；

在所述第一金属层上形成有源层、第二金属层，所述第二金属层包括间隔设置的源极和漏极，所述有源层的一端夹设于所述第一电极与所述源极之间，所述有源层的另一端夹设于所述第二电极与所述漏极之间；

沉积钝化层，所述钝化层覆盖于所述源极、漏极、有源层裸露的表面。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述第一金属层上形成有源层、第二金属层具体包括：

在所述第一金属层上沉积有源材料层；

在所述有源材料层上涂布第三光阻层，通过第三道光罩对所述第三光阻层进行曝光，使所述第三光阻层图案化，形成第三光阻区域；

通过蚀刻制程移除未被所述第三光阻区域覆盖的有源材料层，形成有源层，所述有源层的一端与所述第一电极接触并覆盖部分第一电极，所述有源层的另一端与所述第二电极接触并覆盖部分第二电极；

在所述栅绝缘层、第一电极、第二电极和有源层上沉积第二金属材料层；

在所述第二金属材料层上涂布第四光阻层，通过第四道光罩对所述第四光阻层进行曝光，使所述第四光阻层图案化，形成相互间隔的第四光阻区域；

通过蚀刻制程移除未被所述第四光阻区域覆盖的第二金属材料层，形成第二金属层，所述第二金属层包括间隔设置的源极和漏极，所述有源层的一端夹设于所述第一电极与所述源极之间，所述有源层的另一端夹设于所述第二电极与所述漏极之间，所述源极与所述第一电极接触，所述漏极与所述第二电极接触。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述第一金属层上形成有源层、第二金属层包括：

在所述第一金属层上沉积有源材料层；

在所述有源材料层上沉积第二金属材料层；

在所述第二金属材料层上涂覆第三光阻层，通过第三道光罩对所述第三光阻层进行灰阶曝光，使所述第三光阻层图案化，形成第三光阻区域，所述第三光阻区域包括中间部和位于该中间部两侧的侧部，所述中间部的厚度小于侧部的厚度；

通过蚀刻制程移除未被所述第三光阻区域覆盖的有源材料层、第二金属材料层，形成有源层，所述有源层的一端与所述第一电极接触，所述有源层的另一端与所述第二电极接触；

对所述第三光阻区域进行灰化处理，以去除中间部并减少侧部的厚度，保留部分侧部；

通过蚀刻制程移除未被所述部分侧部覆盖的第二金属材料层，形成第二金属层，所述第二金属层包括间隔设置的源极和漏极，所述有源层的一端夹设于所述第一电极与所述源极之间，所述有源层的另一端夹设于所述第二电极与所述漏极之间。