[发明专利]一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法

说明书

本发明公开了一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，包括如下步骤：S1、完成零件装配，焊缝端面或轴向错边量≤0.05mm，间隙≤0.05mm；S2、通类组件的点焊定位；焊接工艺参数为：电子束加速电压35～45kV，聚焦束流(表面聚焦束流‑25mA)，余弦扫描函数，扫描频率150Hz，扫描幅度2.5～3.5，焊接速度15～20mm/s S3、将完成点焊定位的通类组件装夹到焊机三爪卡盘上；S4、焊缝质量检查。本发明杜绝了原有带锁底结构通类组件电子束单面焊接后反面机加工成型方法的工艺流程复杂、易产生毛刺、气孔等问题，解决了单面焊双面成型的反面易产生飞溅的问题。

技术领域

本说明涉及一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，特别适用于无锁底1Cr18Ni9Ti、TA2航天总装通类组件的焊缝焊接。

背景技术

1Cr18Ni9Ti、TA2通类组件普遍存在于航天总装系统中，该零件采用电子束焊接后焊缝需要满足QJ972-86I级焊缝要求。

通类组件焊接完成后需要进行机加工去除锁底，机加工后需要反复返修毛刺及反复内窥镜检查，工艺流程复杂，且容易产生多余物。所以，需要设计一种航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法来解决原有方法的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供可解决上述问题的一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法。

为实现上述目的，本发明具体通过以下方案实现：

一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，包括如下步骤：

S1、完成零件装配，焊缝端面或轴向错边量≤0.05mm，间隙≤0.05mm；

S2、通类组件的点焊定位；

对称定位2～4点，定位方式采用手工氩弧焊或激光焊等方式，焊点不允许氧化，焊点有核心；

S3、将完成点焊定位的通类组件装夹到焊机三爪卡盘上，焊接处圆跳动≤0.05mm，端面跳动≤0.05mm；

S4、焊缝质量检查；

焊缝需要满足QJ972-86I级焊缝要求，且内窥镜检测焊缝反面无焊接飞溅。

其中，所述步骤S2中焊接过程工艺参数如下：

加速电压：35～45kV；

真空度：≤7×10^-4mbar；

聚焦束流：If-25mA，其中If为表面聚焦束流；

余弦扫描函数；

扫描频率：150Hz；

扫描幅度：2.5～3.5；

焊接速度：15～20mm/s；

电子束流：壁厚1.0mm：8～16mA，壁厚1.0～2.0mm：16～32mA。

所述的焊缝结构为无锁底对接环焊缝结构，焊缝两侧焊接材料为TA2+TA2或1Cr18Ni9Ti+1Cr18Ni9Ti

本发明采用无锁底对接环焊缝结构，焊缝两侧母材材料一致、厚度一致。与原有焊接工艺方法相比，本发明具有以下有益效果：

焊接完成后不需要对通类组件的内孔进行机械加工，避免了修毛刺等返修工序，工艺流程大大简化，提高了加工效率。增加了气体从熔池下端溢出的通道，降低了气孔产生的概率。

附图说明

图1为本发明实施例中通类组件的结构示意图；