[发明专利]一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法在审
| 申请号： | 201810858655.0 | 申请日： | 2018-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN108857033A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 马纪龙;宋凡;张祎玲;刘泽敏;于康;潘攀;陈晓江;姜叶斌;曹丹 | 申请（专利权）人： | 上海空间推进研究所 |
| 主分类号： | B23K15/00 | 分类号： | B23K15/00;B23K15/06 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 200233 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子束 类组件 单面焊双面成型 点焊定位 束流 聚焦 焊缝质量检查 焊接工艺参数 毛刺 机加工成型 单面焊接 加速电压 三爪卡盘 扫描幅度 扫描函数 扫描频率 完成零件 航天 焊缝 焊机 工艺流程 错边量 飞溅 余弦 轴向 装夹 焊接 装配 | ||
1.一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、完成零件装配，焊缝端面或轴向错边量≤0.05mm，间隙≤0.05mm；
S2、通类组件的点焊定位；
对称定位2～4点，定位方式采用手工氩弧焊或激光焊方式，焊点不允许氧化，焊点有核心；
S3、将完成点焊定位的通类组件装夹到焊机三爪卡盘上，焊接处圆跳动≤0.05mm，端面跳动≤0.05mm；
S4、焊缝质量检查；
焊缝需要满足QJ972-86I级焊缝要求，且内窥镜检测焊缝反面无焊接飞溅。
2.如权利要求1所述的一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，其特征在于，所述步骤S2中焊接过程工艺参数如下：
加速电压：35～45kV；
真空度：≤7×10-4mbar；
聚焦束流：If-25mA，其中If为表面聚焦束流；
余弦扫描函数；
扫描频率：150Hz；
扫描幅度：2.5～3.5；
焊接速度：15～20mm/s；
电子束流：壁厚1.0mm：8～16mA，壁厚1.0～2.0mm：16～32mA。
3.如权利要求1所述的一种1Cr18Ni9Ti、TA2航天通类组件的电子束单面焊双面成型工艺方法，其特征在于，所述的焊缝结构为无锁底对接环焊缝结构，焊缝两侧焊接材料为TA2+TA2或1Cr18Ni9Ti+1Cr18Ni9Ti。
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