[发明专利]低温变形抗静电离型膜及制备工艺及用途在审

专利信息
申请号: 201810856693.2 申请日: 2018-07-31
公开(公告)号: CN110776845A 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 周元康;邹涛;曹德成;唐海军;许鲁江 申请(专利权)人: 苏州思锐达新材料有限公司
主分类号: C09J7/40 分类号: C09J7/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州市吴中区*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 离型层 吸塑 离型膜 涂覆 孔穴 离型剂 载带 基层 抗静电离型膜 抗静电膜层 尺寸稳定 厚度公差 基层表面 抗静电液 热压成型 物理机械 相对设置 延展性能 制备工艺 抗撕裂 离型力 热固化 高抗 减薄 胶类 离型 成型 装载 变形
【权利要求书】:

1.低温变形抗静电离型膜,其特征在于,沿离型膜的厚度方向,所述离型膜包括相对设置的吸塑基层和离型层,所述离型层相对所述吸塑基层的一侧设置有抗静电膜层。

2.根据权利要求1所述的低温变形抗静电离型膜,其特征在于,所述吸塑基层为PET吸塑层。

3.根据权利要求1所述的低温变形抗静电离型膜,其特征在于,所述吸塑基层为PS吸塑层。

4.根据权利要求1所述的低温变形抗静电离型膜,其特征在于,所述吸塑基层为PC吸塑层。

5.根据权利要求2-4中任意一项所述的低温变形抗静电离型膜,其特征在于,沿离型膜的厚度方向,所述吸塑基层相对所述离型层的一侧设置有抗静电膜层二。

6.根据权利要求2-4中任意一项所述的低温变形抗静电离型膜,其特征在于,沿离型膜的厚度方向,所述吸塑基层相对所述离型层的一侧设置有离型层二。

7.根据权利要求6所述的低温变形抗静电离型膜,其特征在于,沿离型膜的厚度方向,所述离型层二相对所述吸塑基层的一侧设置有抗静电膜层二。

8.权利要求1中所述的低温变形抗静电离型膜的制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:

第一步,在厚度为0.05mm~0.4mm的吸塑基层的表面涂覆一层离型剂,涂覆量为0.5~5g/㎡离型剂选择自由基固化有机丙烯酸酯类或阳离子固化环氧有机硅类,或者选择烷基或者聚乙烯亚胺类高分子聚合物非硅类;

第二步,将步骤一中处理过的材料进行热固化或者UV固化使离型剂形成厚度为0.1~1μm的离型层,其中热固化温度为100℃~200℃;UV固化能量为100~600mj/cm2;

第三步,待步骤二中处理过的材料冷却至20℃~70℃后,在材料的离型面涂覆抗静电涂层,涂覆量为0.2~2g/㎡,形成的抗静电层的厚度为0.05μm~0.5μm;

第四步,将步骤三处理过的材料离型面贴合保护膜后收卷。

9.权利要求2-4中任意一项所述的低温变形抗静电离型膜的用途,其特征在于,采用热压成型方式直接制备离型载带。

10.权利要求2-4中任意一项所述的低温变形抗静电离型膜的用途,其特征在于,采用热压成型方式直接制备电子设备的包装托盘。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州思锐达新材料有限公司,未经苏州思锐达新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810856693.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top