[发明专利]一种基板的制作方法及基板、显示装置有效
申请号: | 201810851225.6 | 申请日: | 2018-07-27 |
公开(公告)号: | CN109003944B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 张震;安旭东;赵俊杰;赵广洲 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制作方法 显示装置 | ||
1.一种基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在衬底基板上形成第一导电图案;
在形成有所述第一导电图案的衬底基板上形成第一绝缘层,并通过半曝光掩膜工艺,在所述第一绝缘层中对应所述第一导电图案的预设位置处形成盲孔,以形成第一绝缘图案层;
在形成有所述第一绝缘图案层的衬底基板上形成导电膜层,并通过刻蚀工艺,去除所述导电膜层中至少包括对应所述盲孔区域的部分,形成中间导电图案的同时,将所述第一绝缘层在所述盲孔区域的厚度进一步减薄;
在形成有所述中间导电图案的衬底基板上形成中间绝缘层,并通过曝光掩膜工艺,在所述中间绝缘层对应所述预设位置形成第二通孔,以形成中间绝缘图案层;
去除形成有所述中间绝缘图案层的衬底基板中,所述第一绝缘层中位于所述盲孔位置的部分,以形成第一通孔;
在形成有所述第一通孔的衬底基板上形成第二导电图案,且所述第二导电图案通过所述第一通孔和所述第二通孔直接与所述第一导电图案接触、且与所述中间导电图案不接触;
所述第二通孔的孔径大于所述第一通孔的孔径,且所述第一通孔和所述第二通孔贯通所形成的通孔的孔壁在所述第一绝缘图案层和所述中间绝缘图案层的交界面处具有台阶面。
2.根据权利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,
所述去除形成有所述中间绝缘图案层的衬底基板中,所述第一绝缘层中位于所述盲孔位置的部分,以形成第一通孔包括:
采用灰化工艺,去除形成有所述中间绝缘图案层的衬底基板中,所述第一绝缘层中位于所述盲孔位置的部分,以形成第一通孔。
3.根据权利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,
所述在形成有所述第一绝缘图案层的衬底基板上形成导电膜层,并通过刻蚀工艺,去除所述导电膜层中至少包括对应所述盲孔区域的部分,形成中间导电图案的同时,将所述第一绝缘层在所述盲孔区域的厚度进一步减薄包括:
所述在形成有所述第一绝缘图案层的衬底基板上形成导电膜层,并通过干法刻蚀工艺,去除至少包括对应所述盲孔位置的膜层,以形成中间导电图案的同时,将所述第一绝缘层在所述盲孔位置的厚度进一步减薄。
4.根据权利要求1所述的基板的制作方法,其特征在于,
所述去除形成有所述中间绝缘图案层的衬底基板中,所述第一绝缘层中位于所述盲孔位置的部分,以形成第一通孔中;
所述第一绝缘层中位于所述盲孔位置的部分的厚度为20nm~50nm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的基板的制作方法,其特征在于,所述第一绝缘层和所述中间绝缘层均为有机绝缘层。
6.一种基板,其特征在于,采用权利要求1-5任一项所述的制作方法制得。
7.根据权利要求6所述的基板,其特征在于,所述基板为阵列基板。
8.根据权利要求6所述的基板,其特征在于,所述基板为OLED阵列基板;
所述基板中的第一导电图案为数据线,第二导电图案为OLED的阳极。
9.一种基板,其特征在于,包括依次设置于衬底基板上的第一导电图案、第一绝缘图案层、中间导电图案、中间绝缘图案层、第二导电图案;
其中,所述第二导电图案通过位于所述第一绝缘图案层、所述中间导电图案、所述中间绝缘图案层上的通孔直接与所述第一导电图案连接、且与所述中间导电图案不连接;
所述中间导电图案在靠近所述通孔一侧的边界,到所述第一导电图案位于该侧的边界之间的距离处于关键线偏差范围内;
所述第一绝缘图案层中的通孔为第一通孔,所述中间绝缘图案层中的通孔为第二通孔;所述第二通孔的孔径大于所述第一通孔的孔径,且所述第一通孔和所述第二通孔贯通所形成的通孔的孔壁在所述第一绝缘图案层和所述中间绝缘图案层的交界面处具有台阶面。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求6-9任一项所述的基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造