[发明专利]薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。薄膜晶体管包括：导电的遮光层；位于所述遮光层上的金属氧化物层；依次位于所述金属氧化物层上的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层，所述层间绝缘层和所述缓冲层包括有暴露出所述有源层的第一过孔和第二过孔、暴露出所述金属氧化物层的第三过孔，其中，所述金属氧化物层对应所述第三过孔的部分为导电部分，其他部分为绝缘的；位于所述层间绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏电极通过所述第二过孔与所述有源层连接，还通过所述第三过孔与所述导电部分连接。本发明能够提高显示基板的良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

现如今OLED(有机电致发光二极管)显示产品替代液晶显示产品已经是不可避免的趋势，其中顶栅结构(Top Gate)的显示产品是未来的重点方向。在顶栅结构的OLED显示产品中，为了避免光照对薄膜晶体管的有源层的影响，在薄膜晶体管的有源层和衬底基板之间设置有遮光层，遮光层一般采用金属制成，为了避免遮光层与薄膜晶体管的电极之间产生寄生电容，需要对薄膜晶体管的绝缘层进行过孔刻蚀，使得薄膜晶体管的漏电极通过贯穿绝缘层的过孔与遮光层电连接；在对绝缘层进行过孔刻蚀时，由于大尺寸干法刻蚀均一性差异较大，刻蚀时间较难把控，当刻蚀时间较长时，会出现遮光层被刻蚀干净，造成搭接阻抗较大；当刻蚀时间较短时，则绝缘层未刻蚀干净，造成搭接断路，综上原因，导致显示基板的良率较低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高显示基板的良率。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种薄膜晶体管，包括：

导电的遮光层；

位于所述遮光层上的金属氧化物层；

依次位于所述金属氧化物层上的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层，所述层间绝缘层和所述缓冲层包括有暴露出所述有源层的第一过孔和第二过孔、暴露出所述金属氧化物层的第三过孔，其中，所述金属氧化物层对应所述第三过孔的部分为导电部分，其他部分为绝缘的；

位于所述层间绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏电极通过所述第二过孔与所述有源层连接，还通过所述第三过孔与所述导电部分连接。

进一步地，所述金属氧化物层的折射率大于所述缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层的折射率。

进一步地，所述金属氧化物层采用LaTiOx。

本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成导电的遮光层；

在所述遮光层上形成金属氧化物层；

在所述金属氧化物层上依次形成缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层；

对所述层间绝缘层和所述缓冲层进行干法刻蚀，形成暴露出所述有源层的第一过孔和第二过孔、暴露出所述金属氧化物层的第三过孔；

通过第三过孔对所述金属氧化物层进行导体化处理，使得所述第三过孔处的所述金属氧化物层转变为导电图形；

在所述层间绝缘层上形成源电极和漏电极，所述源电极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏电极通过所述第二过孔与所述有源层连接，还通过所述第三过孔与所述导电图形连接。

进一步地，所述金属氧化物层的折射率大于所述缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层的折射率。

进一步地，所述金属氧化物层采用LaTiOx。