[发明专利]薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

导电的遮光层；

位于所述遮光层上的金属氧化物层；

依次位于所述金属氧化物层上的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层，所述层间绝缘层包括有暴露出所述有源层的第一过孔和第二过孔，所述层间绝缘层和所述缓冲层包括有暴露出所述金属氧化物层的第三过孔，其中，所述金属氧化物层对应所述第三过孔的部分为导电部分，其他部分为绝缘的；

位于所述层间绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏电极通过所述第二过孔与所述有源层连接，还通过所述第三过孔与所述导电部分连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物层的折射率大于所述缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层的折射率。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物层采用LaTiOx。

4.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

形成导电的遮光层；

在所述遮光层上形成金属氧化物层；

在所述金属氧化物层上依次形成缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅电极和层间绝缘层；

对所述层间绝缘层和所述缓冲层进行干法刻蚀，形成暴露出所述有源层的第一过孔和第二过孔、暴露出所述金属氧化物层的第三过孔；

通过第三过孔对所述金属氧化物层进行导体化处理，使得所述第三过孔处的所述金属氧化物层转变为导电图形；

在所述层间绝缘层上形成源电极和漏电极，所述源电极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏电极通过所述第二过孔与所述有源层连接，还通过所述第三过孔与所述导电图形连接。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物层的折射率大于所述缓冲层、栅绝缘层和层间绝缘层的折射率。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物层采用LaTiOx。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为100～6000nm。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述通过第三过孔对所述金属氧化物层进行导体化处理包括：

向所述第三过孔通入氧气，产生氧离子，对所述第三过孔内的LaTiOx进行轰击，调整LaTiOx的氧含量使得所述第三过孔处的LaTiOx转变为导体；或

向所述第三过孔通入氦气，产生氦离子，对所述第三过孔内的LaTiOx进行轰击，调整LaTiOx的氧含量使得所述第三过孔处的LaTiOx转变为导体。

9.一种显示基板的制作方法，其特征在于，采用如权利要求4-8中任一项所述的制作方法在基板上制作薄膜晶体管。

10.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示基板。