[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号: | 201810844286.X | 申请日: | 2018-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN109524404B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
| 发明(设计)人: | 泽中健一 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H10B41/00;H10B43/00;H10B53/00;H10B63/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
1.一种半导体存储装置,其具备:
壳体,具有壁;
电路板,收容于所述壳体内,与所述壁相隔而沿着所述壁延伸;
存储器封装体,设置于所述电路板的上方;
导热部件,介置于所述壁与所述存储器封装体之间,所述导热部件由弹性材形成且弹性地压缩于所述壁与所述存储器封装体之间;及
凹凸区域,设置于所述壁,且包含:接触部,与所述导热部件相接;及凹部,被所述接触部包围或位于多个所述接触部之间,从该接触部向离开所述存储器封装体的方向凹陷,且插入有所述导热部件。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述凹凸区域包含分散配置有多个所述接触部及多个所述凹部中至少一者的分散配置区域。
3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,其中
所述凹凸区域包含呈网状设置有所述接触部或所述凹部的区域。
4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,其中
所述凹凸区域具有设置有包含所述接触部及所述凹部的单位形状的重复图案的区域。
5.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,其中
所述凹凸区域包含位于相对所述导热部件与所述存储器封装体的角部呈相反侧的位置的所述凹部。
6.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,其中
所述凹凸区域包含位于相对所述导热部件与所述存储器封装体的边部呈相反侧的位置的所述凹部。
7.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置,其中
在所述壁,设置有第一面及第一凹部,所述第一面与所述电路板面对面;所述第一凹部从所述第一面向离开所述存储器封装体的方向凹陷,且收容有所述导热部件;且
所述接触部及所述凹部设置于所述第一凹部的底面。
8.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述导热部件的部分向所述凹部内延伸。
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述接触部的部分围绕所述凹部的至少1个。
10.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述存储器封装体包含多个角部;且
所述凹凸区域还包含:其它凹部,面向所述存储器封装体的所述角部,且所述导热部件的部分于其间延伸。
11.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述存储器封装体包括多个侧壁;且
所述凹凸区域的其他凹部面向所述存储器封装体的所述侧壁的位置并向外延伸,且所述导热部件的部分于其间延伸。
12.根据权利要求1所述的半导体存储装置,其中
所述壁包含:第一面,与所述电路板为相反侧;及第二面,向离开所述存储器封装体的所述方向上往所述第一面的内部凹陷,所述接触部形成于所述第二面上;
所述导热部件往所述第一面的内部延伸并接触所述第二面,
所述凹部往所述第二面的内部延伸。
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