[发明专利]单晶硅片的制备系统

说明书

本发明公开了一种单晶硅片的制备系统，涉及晶体的生长方法技术领域。所述制备系统包括单晶硅棒生长装置、单晶硅棒切割装置、硅片裁切装置、硅片清洗装置以及硅片烘干装置。所述单晶硅棒生长装置用于生长单晶硅棒；所述切割装置用于对所述单晶硅棒进行切割，制备成厚度符合要求的单晶硅片；所述裁切装置用于对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状；所述清洗装置用于对裁切后的硅片进行清洗，去除硅片表面的杂质；所述硅片烘干装置用于将清洗后的硅片进行烘干处理。所述制备系统能够顺利完成单晶硅片的制备，且系统结构较为简单，制备方便。

技术领域

本发明涉及单晶硅的制备装置技术领域，尤其涉及一种单晶硅片的制备系统。

背景技术

许多半导体晶体、光学晶体及各种功能晶体均可以通过熔体法进行单晶生长，这些单晶材料广泛应用于激光、通信、导航和雷达等领域。高质量的晶体是制备优异器件的基础。单晶体内的温度梯度越小，生长速度越慢，机械振动越小，晶体质量就越高。

通常存在的晶体生长方法有提拉法、坩埚下降法（垂直布里奇曼法）、垂直温度梯度法、区熔法、焰熔法、冷坩埚凝壳法等。其中垂直温度梯度法由于不存在机械振动，仅仅通过温度场的变化来控制晶体生长过程，是一种制备高质量晶体的优异方法。事实上，在控制加热器变化热场时仍然会面临温度场的扰动，因此其虽然可以制备高质量的晶体，但是难度很大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是如何提供一种能够完成单晶硅片制备的系统。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种单晶硅片的制备系统，其特征在于：包括单晶硅棒生长装置、单晶硅棒切割装置、硅片裁切装置、硅片清洗装置以及硅片烘干装置，所述单晶硅棒生长装置用于生长单晶硅棒，所述生长装置与所述切割装置之间设置有第一传送装置，所述第一传送装置用于将所述生长装置生长的单晶硅棒传输给所述切割装置，所述切割装置用于对所述单晶硅棒进行切割，制备成厚度符合要求的单晶硅片，所述切割装置与所述裁切装置之间设置有第二传送装置，所述第二传送装置用于将所述切割装置切割后的单晶硅片传送至所述硅片裁切装置进行裁切，所述裁切装置用于对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状，所述裁切装置与所述清洗装置之间设置有第三传送装置，所述第三传送装置用于将所述裁切装置裁切后的单晶硅片传送至所述清洗装置，所述清洗装置用于对裁切后的硅片进行清洗，去除硅片表面的杂质，所述清洗装置与所述烘干装置之间设置有第四传送装置，所述第四传送装置用于将清洗后的硅片传送给所述烘干装置进行烘干处理，所述烘干装置上设置有硅片取出装置，所述硅片取出装置用于将烘干后的成品硅片取出。